4 polegadas 4H-SiC Substrato nível P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividade≥1E5Ω·cm Para Microondas de Potência
Number modelo:JDCD03-002-002
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial
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Shanghai Shanghai China
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω do nível P da carcaça de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm para dispositivos do poder e da micro-ondas
Vista geral
É usado sic para a fabricaço de dispositivos muito de alta tenso e de alta potência tais como diodos, transistor de poder, e dispositivos da micro-ondas do poder superior. Comparado aos Si-dispositivos convencionais, os dispositivos de poder SIC-baseados têm tensões mais rápidas da velocidade de comutaço umas mais altas, umas mais baixas resistências parasíticas, tamanho menor, refrigerando menos exigido devido capacidade de alta temperatura.
carcaça deisolamento de 4inch 4H-SiC | |||
| Desempenho de produto | Nível P | Nível de D | |
| Formulário de cristal | 4H | ||
| Politípico | Para no reservar | Area≤5% | |
| Micropipe Densitya | ≤0.3/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Seis quadrados esvaziam | Para no reservar | Area≤5% | |
| Cristal híbrido de superfície do hexágono | Para no reservar | Area≤5% | |
| wrappage a | Area≤0.05% | N/A | |
| Resistividade | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
(0004) larguras da altura de XRDHalf da curva de balanço (FWHM) | ≤45Arcsecond | N/A | |
| Dimetro | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| Orientaço de superfície | {0001} ±0.2° | ||
| Comprimento da borda de referência principal | 32,5 milímetros de ± 2,0 milímetros | ||
| Comprimento da borda de referência secundária | 18,0 milímetros de ± 2,0 milímetros | ||
| Orientaço principal do plano de referência | ±<11-20> paralelo 5.0˚ | ||
| Orientaço secundária do plano de referência | 90 ° sentido horário ao ˚ principal do ± 5,0 do ˚ do plano de referência, si de face para cima | ||
| preparaço de superfície | C-cara: Espelho que lustra, Si-cara: Polonês mecnico químico (CMP) | ||
| A borda da bolacha | ngulo da chanfradura | ||
Aspereza de superfície (5μm×5μm) | Cara Ra<0.2 nanômetro do si | ||
| espessura | 500.0±25.0μm | ||
| LTV (10mm×10mm) a | ≤2µm | ≤3µm | |
| TTVa | ≤6µm | ≤10µm | |
| Bowa | ≤15µm | ≤30µm | |
| Warpa | ≤25µm | ≤45µm | |
| Borda/diferença quebradas | As bordas do colapso de um comprimento e de uma largura de 0.5mm no so permitidas | ≤2 e cada comprimento e largura de 1.0mm | |
| scratcha | ≤4, e o comprimento total so 0,5 vezes o dimetro | ≤5, e o comprimento total so 1,5 vezes o dimetro | |
| falha | para no reservar | ||
| poluiço | para no reservar | ||
| Remoço da borda | 3mm | ||
Observaço: a excluso da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
FAQ
Q: So você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens esto no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens no esto no estoque, ele é de acordo com a
quantidade.
Q: Você fornece amostras? so livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas no
pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado,
equilíbrio antes da expediço.
4 polegadas 4H-SiC Substrato nível P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividade≥1E5Ω·cm Para Microondas de Potência
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