4H SiC Epitaxial Wafer SiC Wafer Substrato Para Dispositivos Fotônicos ISO9001
Number modelo:JDCD03-002-008
Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial
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Shanghai Shanghai China
Endereço:
Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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4H SiC Epitaxial Wafer ≤0,2 /Cm2 150,0 Mm +0mm/-0,2mm 47,5 Mm ± 1,5 Mm
JDCD03-001-004
Viso geral
Uma bolacha epitaixal é uma bolacha de material semicondutor feito por crescimento epitaxial (chamado epitaxia) para uso na fabricaço de semicondutores e dispositivos fotônicos, como diodos emissores de luz (LEDs).Vários métodos de crescimento da camada epitaxial em silício existente ou outros wafers so atualmente usados: deposiço de vapor químico orgnico de metal (MOCVD) e epitaxia de feixe molecular (MBE), LPE, HVPE.
| Propriedade | Grau P-MOS | Grau P-SBD | grau D |
| Forma de Cristal | 4H | ||
| Politipo | Nenhum permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0,2 /cm2 | ≤0,5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas sextavadas | Nenhum permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Nenhum permitido | ||
| Inclusõesa | Área≤0,05% | Área≤0,05% | N / D |
| Resistividade | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / D |
| (TED)a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / D |
| (BPD)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / D |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / D |
| Falha de Empilhamento | ≤0,5% Área | ≤1% Área | N / D |
Contaminaço de Superfície Metálica | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 | ||
| Dimetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientaço da Superfície | Fora do eixo: 4° na direço de <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Comprimento Plano Primário | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Comprimento Plano Secundário | Sem Apartamento Secundário | ||
| Orientaço Plana Primária | Paralelo a <11-20>±1° | ||
| Orientaço Plana Secundária | N / D | ||
| Desorientaço ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabamento de superfície | Face C: Polimento óptico, Face Si: CMP | ||
| borda de bolacha | Chanframento | ||
Rigidez da superfície (10μm × 10μm) | Si Face Ra≤0,20 nm ； C Face Ra≤0,50 nm | ||
| Grossuraa | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)a | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARCO)a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Urdidura)a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Chips/Recuos | Nenhum permitido ≥0,5 mm de largura e profundidade | Qtd.2 ≤1,0 mm Largura e Profundidade | |
Arranhõesa (Si Face,CS8520) | ≤5 e comprimento cumulativo≤0,5 × Dimetro da bolacha | ≤5 e comprimento cumulativo≤1,5 × Wafer Dimetro | |
| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / D |
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||
| Contaminaço | Nenhum permitido | ||
| Propriedade | Grau P-MOS | Grau P-SBD | grau D |
| Excluso de Borda | 3mm | ||
Observaço: a excluso de borda de 3 mm é usada para os itens marcados coma.
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
Perguntas frequentes
Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em
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ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias no estiverem em estoque, é
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas no pagamos o
custo do frete.
Q: Quais so as suas condições de pagamento?
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Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.
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