47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

Lugar de origem:Suzhou China
Termos do pagamento:T/T
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Number modelo:JDCD03-001-003
Nome do produto:Bolacha sic Epitaxial
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Endereço: Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to±1° paralelo de 1,5 milímetros<11-20>

JDCD03-001-003


Vista geral

Atualmente, há dois tipos principais sic de bolachas. O primeiro tipo é a bolacha lustrada, que é um único disco do carboneto de silicone. É feito de cristais da alto-pureza sic, e pode ser 100mm ou 150mm no dimetro. É usado na eletrônica de alta potência. O segundo tipo é a bolacha cristalina epitaxial do carboneto de silicone. Este tipo de bolacha é criado adicionando camadas de únicos cristais do carboneto de silicone a uma superfície. Este método exige o controle preciso da espessura do material, e é referido como o n-tipo epitaxia.


Propriedade

Categoria P-MOSCategoria de P-SBDCategoria de D
Crystal Form4H
PolytypeNenhuns permitiramArea≤5%
(MPD) a≤0.2 /cm2≤0.5 /cm2≤5 /cm2
Encantar placasNenhuns permitiramArea≤5%
Polycrystal sextavadoNenhuns permitiram
Inclusões aArea≤0.05%Area≤0.05%N/A
Resistividade0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.015Ω•cm-0.025Ω•cm0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a≤4000/cm2≤8000/cm2N/A
(TED) a≤3000/cm2≤6000/cm2N/A
(BPD) a≤1000/cm2≤2000/cm2N/A
(TSD) a≤600/cm2≤1000/cm2N/A
Falha de empilhamentoÁrea de ≤0.5%Área de ≤1%N/A

Contaminaço de metal de superfície


(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) ≤1E11 cm-2

Dimetro150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientaço de superfícieFora-linha central: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Comprimento liso preliminar47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Comprimento liso secundárioNenhum plano secundário
Orientaço lisa preliminarTo±1° paralelo<11-20>
Orientaço lisa secundáriaN/A
Misorientation ortogonal±5.0°
Revestimento de superfícieC-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP
Borda da bolachaChanfradura

Aspereza de superfície

(10μm×10μm)

Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C
Espessura aμm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a≤2μm≤3μm
(TTV) a≤6μm≤10μm
(CURVA) a≤15μm≤25μm≤40μm
(Urdidura) a≤25μm≤40μm≤60μm
Microplaquetas/recortesNenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mmLargura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro

Riscos a

(Cara do si, CS8520)

≤5 e dimetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer

≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo

Dimetro

TUA (2mm*2mm)≥98%≥95%N/A
QuebrasNenhuns permitiram
ContaminaçoNenhuns permitiram
PropriedadeCategoria P-MOSCategoria de P-SBDCategoria de D
Excluso da borda3mm

Observaço: a excluso da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.


Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.


FAQ

Q: So você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
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Geralmente é 3-5 dias se os bens esto no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens no esto no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
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Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expediço.

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