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47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to±1° paralelo de 1,5 milímetros<11-20>
JDCD03-001-003
Vista geral
Atualmente, há dois tipos principais sic de bolachas. O primeiro tipo é a bolacha lustrada, que é um único disco do carboneto de silicone. É feito de cristais da alto-pureza sic, e pode ser 100mm ou 150mm no dimetro. É usado na eletrônica de alta potência. O segundo tipo é a bolacha cristalina epitaxial do carboneto de silicone. Este tipo de bolacha é criado adicionando camadas de únicos cristais do carboneto de silicone a uma superfície. Este método exige o controle preciso da espessura do material, e é referido como o n-tipo epitaxia.
Propriedade | Categoria P-MOS | Categoria de P-SBD | Categoria de D |
Crystal Form | 4H | ||
Polytype | Nenhuns permitiram | Area≤5% | |
(MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
Encantar placas | Nenhuns permitiram | Area≤5% | |
Polycrystal sextavado | Nenhuns permitiram | ||
Inclusões a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A |
Resistividade | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm |
(EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A |
(TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A |
(BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A |
(TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A |
Falha de empilhamento | Área de ≤0.5% | Área de ≤1% | N/A |
Contaminaço de metal de superfície | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) ≤1E11 cm-2 | ||
Dimetro | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | ||
Orientaço de superfície | Fora-linha central: ° <11-20>de 4°toward ±0.5 | ||
Comprimento liso preliminar | 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros | ||
Comprimento liso secundário | Nenhum plano secundário | ||
Orientaço lisa preliminar | To±1° paralelo<11-20> | ||
Orientaço lisa secundária | N/A | ||
Misorientation ortogonal | ±5.0° | ||
Revestimento de superfície | C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP | ||
Borda da bolacha | Chanfradura | ||
Aspereza de superfície (10μm×10μm) | Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C | ||
Espessura a | μm 350.0μm± 25,0 | ||
LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | |
(TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | |
(CURVA) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
(Urdidura) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
Microplaquetas/recortes | Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mm | Largura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro | |
Riscos a (Cara do si, CS8520) | ≤5 e dimetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer | ≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo Dimetro | |
TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N/A |
Quebras | Nenhuns permitiram | ||
Contaminaço | Nenhuns permitiram | ||
Propriedade | Categoria P-MOS | Categoria de P-SBD | Categoria de D |
Excluso da borda | 3mm |
Observaço: a excluso da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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