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Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Converso de Energia 58%
Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem
A integraço no chip de diodos laser e fotodetectores com guias de ondas de nanofios de silício é demonstrada.Através da ligaço flip-chip de diodos de laser GaInNAs/GaAs diretamente no substrato de silício, a dissipaço de calor eficiente foi realizada e temperaturas características de até 132K foram alcançadas.Foram utilizados conversores de tamanho de ponto para o acoplamento laser-guia de onda, com eficiências superiores a 60%.
Os fotodetectores foram fabricados pela ligaço de wafers de InGaAs/InP diretamente a guias de ondas de silício e formaço de estruturas metal-semicondutor-metal, fornecendo responsividades de até 0,74 A/W.Tanto o diodo laser quanto o fotodetector foram integrados com um único guia de onda de silício para demonstrar um link de transmisso óptica completo no chip.
óptico | |
Comprimento de onda central | 915nm |
Potência de saída | 10W |
Largura Espectral FWHM | ≤6 nm |
Eficiência de inclinaço | 1,0 W/A |
Divergência de Eixo Rápido | 60 graus |
Divergência de eixo lento | 11 graus |
Modo de polarizaço | TE |
Tamanho do Emissor | 94um |
Elétrico | |
Limite atual | 0,5A |
Corrente Operacional | 12A |
Tenso operacional | 1,65V |
Eficiência de converso de energia | 58% |
Térmico | |
Temperatura de operaço | 15-55℃ |
Temperatura de armazenamento | -30-70℃ |
Comprimento de onda Temp.Coeficiente | 0,3nm/℃ |
Perguntas frequentes
Q1: Quais métodos de pagamento você suporta?
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