Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Number modelo:JDCD08-001-001
Termos do pagamento:T/T
Detalhes de empacotamento:Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Orientação de superfície:Um-plano (11-20)
Material:₃ do ₂ O do Al da pureza alta (>99.995%)
Espessura:430±15μm
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Shanghai Shanghai China
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Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, do comprimento (milímetro) microplaqueta de 16 diodos emissores de luz
JDCD08-001-001 bolacha da carcaça da safira do dimetro 50mm, Thk
430μm, orientaço de cristal C/M0.2, do comprimento (milímetro)
microplaqueta de 16 diodos emissores de luz, material da carcaça
Na produço prática, a bolacha da safira é feita cortando a barra de
cristal e ento moendo e lustrando. Geralmente, a bolacha de
semicondutor é cortada em uma bolacha pela máquina do corte do fio
ou de corte do multi-fio.
A safira é um material de uma combinaço original de propriedades físicas, químicas e óticas, que fazem resistente eroso de choque de alta temperatura, térmico, da água e da areia, e de risco. É um material superior da janela para muitas aplicações do IR de 3µm a 5µm. as carcaças da safira do C-plano so amplamente utilizadas crescer compostos de III-V e de II-VI tais como GaN para o diodo emissor de luz e diodos láser azuis, quando as carcaças da safira do R-plano forem usadas para o depósito hetero-epitaxial do silicone para aplicações microeletrónicas de IC.
Parmetros | Especificaço | ||
| Unidade | Alvo | Tolerncia | |
| Material | Al2 O3 da pureza alta (>99.995%) | ||
| Dimetro | milímetro | 50,8 | ±0.10 |
| Espessura | μm | 430 | ±15 |
| Orientaço de superfície | C-plano (0001) | ||
| - Fora do ngulo para a M-linha central | grau | 0,20 | ±0.10 |
| - Fora do ngulo para a Um-linha central | grau | 0,00 | ±0.10 |
| Orientaço lisa | Um-plano (11-20) | ||
| - ngulo deslocado liso | grau | 0,0 | ±0.2 |
| Comprimento liso | milímetro | 16,0 | ±1 |
| R-plano | R9 | ||
| Aspereza de superfície dianteira (Ra) | nanômetro | <0.3 | |
| Aspereza de superfície traseira | μm | 0.8~1.2μm | |
| Qualidade de superfície dianteira | O espelho lustrou, EPI-pronto | ||
| Borda da bolacha | R-tipo | ||
| Amplitude da chanfradura | μm | 80-160 | |
| Radiano incluído do ngulo entre a borda lisa e a borda redonda | milímetro | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| Curva | μm | 0~-5 | |
| Urdidura | μm | ≤10 | |
| Marca do laser | Como cliente exigido | ||
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa viso a manter um bom relacionamento da cooperaço com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Q: So você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens esto no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens no esto no estoque, ele é de acordo com a
quantidade.
Q: Você fornece amostras? so livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas no
pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado,
equilíbrio antes da expediço.
Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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