0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Number modelo:JDZJ01-001-001
Prazo de entrega:3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento:Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de sementes
Tipo do portador:N-TYPE
resistividade:0.015~0.028ohm.cm
Orientação:4,0°±0,2°
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
Fornecedor do último login vezes:
No 2 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
0,015~0,028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grau N-Type Orientaço 4,0°±0,2°
SiC Seed Crystal 4" PNota
O SiC CRYSTAL é um gro ou pó de carboneto de silício de altíssima pureza, especialmente fabricado para atingir níveis extremamente baixos de impurezas.Ele é usado para medir as impurezas no SiC Crystal porque, ao contrário do carboneto de silício verde ou preto, os níveis de impurezas so to baixos que as técnicas de mediço tradicionais no detectam sua presença.O SiC Crystal está disponível em diferentes níveis de pureza e em tamanhos personalizados de acordo com os requisitos.
| Especificações do lingote de SiC de 6 polegadas | ||
| Nota | Grau de produço | Nota fictícia |
| politipo | 4H | |
| Dimetro | 100,0mm±0,5mm | |
| Tipo de operadora | tipo N | |
| Resistividade | 0,015~0,028ohm.cm | |
| Orientaço | 4,0°±0,2° | |
| Orientaço Plana Primária | {10-10}±5,0° | |
| Comprimento plano primário | 32,5 mm ± 2,0 mm | |
| Orientaço Plana Secundária | Face Si: 90°cw.do plano primário ± 5° | |
| Comprimento Plano Secundário | 18,0mm±2,0mm | |
| Rachaduras de borda por luz de alta intensidade | ≤1mm em radial | ≤3mm em radial |
| Placas hexagonais por luz de alta intensidade | Tamanho＜1mm, Área cumulativa＜1% | Área acumulada＜5% |
| Áreas politípicas por luz de alta intensidade | Nenhum | ≤5% área |
| Densidade do microtubo | É um teste destrutivo.Havendo discordncia, as amostras para reteste do fornecedor devero ser fornecidas pelo cliente. | É um teste destrutivo.Havendo discordncia, as amostras para reteste do fornecedor devero ser fornecidas pelo cliente. |
| chip de ponta | ≤1 com comprimento máximo e largura de 1 mm | ≤3 com comprimento máximo e largura de 3 mm |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboraço com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa viso manter um bom relacionamento de cooperaço com todos os nossos clientes por nossa boa reputaço.
Perguntas frequentes
Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em
estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias no estiverem em estoque, é
de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas no pagamos o
custo do frete.
Q: Quais so as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.
0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm cristal de carboneto de silício tipo N
Inquiry Cart
0