BLOCO DO CARBONETO DE SILICONE, PROCESSO DE MOEDURA DE BOLACHA DE SILICONE DO SEMICONDUTOR, BOLACHA DA SAFIRA DO DIODO EMISSOR DE LUZ, BOLACHA DO DIODO EMISSOR DE LUZ
Number modelo:MS
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:10000 partes
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:10000 partes pelo mês
Prazo de entrega:5-8 dias de trabalho
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Zhengzhou Henan China
Endereço:
No. 26, rua de Dongqing, zona da Alto-tecnologia, Zhengzhou, Henan, China
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No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Bloco do carboneto de silicone (sic)
Resistência de abraso da resistência de choque térmico da condutibilidade térmica do bloco do carboneto de silicone boa boa boa
Devido a nossas grande capacidade de saída e capacidade moldando forte para a produço da personalizaço, nossa empresa exportou nossos produtos para muitos mercados internacionais. Nossos produtos so certificados de acordo com exigências dos clientes.
Nós continuamos a inovar, para melhorar, e para aumentar assim como integrar internamente os recursos e reforçar externamente a flexibilidade de nossa empresa e a concorrência de nossos produtos, e fornecem clientes idosos e novos o melhor serviço.
Aplicaço:
Processo de moedura de bolacha de silicone do semicondutor
Processo de moedura de bolacha da safira do diodo emissor de luz
Processo de diluiço de bolacha do diodo emissor de luz
Exigências da característica:
Boa condutibilidade térmica
Boa resistência de choque térmico
Boa resistência de abraso
| Desempenho | UNIDADE | HS-A | HS-P | HS-XA |
| Tamanho de gro | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| Densidade | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3,1 |
| Dureza (Knoop) | ² de Kg/mm | 2800 | 2800 | 2800 |
| Força Flexural 4 pinta @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ² do ³ 1b/in | 55 | 55 | 55 | |
| Força compressiva @ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
| *10 ² do ³ 1b/in | 560 | 560 | ||
| Módulo de elasticidade @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ² do ³ 1b/in | 59 | 58 | 59 | |
| Módulo de Weibull (parmetro 2) | 8 | 19 | 12 | |
| Relaço de Poisson | 0,14 | 0,14 | 0,14 | |
| Torso do dobro do RT da dureza da fratura @ & SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| *1 ² do ³ 1b/in no ½ | ||||
| Coeficiente da expanso térmica RT a 700℃ | X10-6mm/mmK | 4,02 | 4,2 | 4,02 |
| X10-6 in/in°F | 2,2 | 2,3 | 2,2 | |
| Calor específico de meio máximo @ RT do serviço Temp.Air | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
| J/gmK | 0,67 | 0,59 | 0,67 | |
| Condutibilidade térmica @ RT | W/mK | 125,6 | 110 | 125,6 |
| H°F de Btu/ft | 72,6 | 64 | 72,6 | |
| @200°C | W/mK | 102,6 | 102,6 | |
| H°F de Btu/ft | 59,3 | 59,3 | ||
| @400°C | W/mK | 77,5 | 77,5 | |
| H°F de Btu/ft | 44,8 | 44,8 | ||
| Permeabilidade @ RT a 1000°C | 31MPa abaixo de nenhum escapamento do gás | |||
| Resistividade elétrica @ RT | Ohm-cm | 102-106 | N/A | 102-106 |
| Emissividade | 0,9 | 0,9 | 0,9 | |
Por que melhore do que outro:
Disponível em várias especificações, igualmente proporcione serviços personalizados
Qualidade estável e entrega rápida
Sic dimetro do bloco de 120mm a 480mm no estoque
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BLOCO DO CARBONETO DE SILICONE, PROCESSO DE MOEDURA DE BOLACHA DE SILICONE DO SEMICONDUTOR, BOLACHA DA SAFIRA DO DIODO EMISSOR DE LUZ, BOLACHA DO DIODO EMISSOR DE LUZ
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