TUBO DO MONTANTE DO NITRETO DE SILICONE (SI3N4) PARA A INDÚSTRIA DE ALUMÍNIO DA CARCAÇA DE BAIXA PRESSÃO, A MELHOR RESISTÊNCIA DE CHOQUE TÉRMICO

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Tubo do montante do nitreto de silicone (Si3N4)

 

Os materiais cermicos de capacidade elevada de nitreto de silicone desenvolvidos para a indústria de alumínio melhoraram significativamente propriedades térmicas e mecnicas do que produtos similares. Nesta base, o dispositivo de aquecimento submerso “alto “em forma de L” da condutibilidade térmica trará o progresso revolucionário ao equipamento industrial de alumínio.

 

O uso prático mostrou que o nitreto de silicone cermico é muito apropriado para a tubulaço do montante da carcaça de baixa presso. Comparado com o ferro fundido de uso geral, o titanate de alumínio, o carboneto de silicone e outros materiais, cermica do nitreto de silicone têm a melhor resistência de choque térmico, com uma vida útil de mais de um ano.

 

 

Vantagem:

 

  • O baixo wettability água de alumínio reduz-se transformar nas paredes internas e exteriores da tubulaço do montante, que é conveniente para a manutenço diária.

  • A boa resistência de corroso, pode reduzir a poluiço de água de alumínio, e ajuda a melhorar a qualidade das carcaças.

 

 

O nitreto de silicone relacionou dados

 

Componente principal99%Al2O3S-SICZrO2Si3N4
Físico
Propriedade
Densidadeg/cm33,93,163,2
Absorço de água%00,100,1
Temperatura do sedimento°C1700220015001800
Mecnico
Propriedade
Dureza de RockwellAlta tenso1700220013001400
Força da curvaturakgf/mm23500400090007000
Intensidade da compressoKgf/mm230000200002000023000
Térmico
Propriedade
Funcionamento máximo
temperatura
°C1500160013001400
expanso térmica
coeficiente
0-1000°C
/°C8.0*10-64.1*10-6 (0-500°C)9.5*10-62.0*10-6 (0-500°C)
5.2*10-6 (500-1000°C)4.0*10-6 (500-1000°C)
Resistência de choque térmicoT (°C)200250300400-500
Condutibilidade térmicaW/m.k (25°C31100325
300°C)16100325
Elétrico
Propriedade
Taxa de oposiço de volume◎.cm    
20°C>1012106-108>1010>1011
100°C1012-1013>1011
300°C>1012>1011
Diviso da isolaço
Intensidade
KV/mm18semicondutor917,7
Constante dielétrica (1 megahertz)(e)10297
Dissipaço dielétrica(tg o)0.4*10-3
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