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Os materiais cermicos de capacidade elevada de nitreto de silicone desenvolvidos para a indústria de alumínio melhoraram significativamente propriedades térmicas e mecnicas do que produtos similares. Nesta base, o dispositivo de aquecimento submerso “alto “em forma de L” da condutibilidade térmica trará o progresso revolucionário ao equipamento industrial de alumínio.
A força de alta temperatura da cermica do nitreto de silicone é muito boa, que se assegura de que o tubo selado possa ainda ser usado por muito tempo sob condições operacionais frequentes. Em virtude da fragilidade da cermica do nitreto de silicone, os grandes choques mecnicos devem ser evitados, assim que a atenço deve ser pagada ao projeto e instalaço do dispositivo de transmisso de levantamento.
Vantagem:
A resistência do alto densidade, a de grande resistência e a alta de choque térmico da cermica do nitreto de silicone para determinar que é a melhor escolha para os tubos de selagem na baixa presso morre carcaça.
Comparado com a cermica de alumínio do titanate e da alumina, o nitreto de silicone tem a resistência de desgaste superior, que pode assegurar a hermeticidade do tubo selado por muito tempo;
O nitreto de silicone relacionou dados
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propriedade | Densidade | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorço de água | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura do sedimento | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecnico Propriedade | Dureza de Rockwell | Alta tenso | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Força da curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidade da compresso | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Térmico Propriedade | Funcionamento máximo temperatura | °C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
expanso térmica coeficiente 0-1000°C | /°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistência de choque térmico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Condutibilidade térmica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elétrico Propriedade | Taxa de oposiço de volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Diviso da isolaço Intensidade | KV/mm | 18 | semicondutor | 9 | 17,7 | |
Constante dielétrica (1 megahertz) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipaço dielétrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |