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O GaAs baseou a bolacha de Epi
Nós fornecemos o crescimento epitaxial do MBE/MOCVD da estrutura feita sob encomenda na carcaça do GaAs para a microeletrônica, ótica eletrónica e aplicações da micro-ondas do RF, no dimetro Ø 3" a Ø 4". Com nossa experiência extensiva do MOCVD, nós podemos crescer a liga binária (LT-GaAs, AlAs) ou a liga ternária (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) na carcaça do GaAs, estruturas do superlattice da camada do singel ou da múltiplo-camada com qualidade cristalina superior para encontrar uma variedade de necessidades do dispositivo. Nossos peritos altamente qualificados podem trabalhar com você para projetar e aperfeiçoar sua estrutura de camada do epi do GaAs. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto ou discuta-o sua estrutura de camada do epi.
Nossos reatores so configurados para uma variedade de sistemas e
condições de processo materiais. Nós podemos fornecer a epitaxia
feita sob encomenda para uma variedade de aplicações do dispositivo
que variam do diodo emissor de luz aos HEMTs.
Capacidade material | Carcaça | Tamanho da bolacha |
---|---|---|
GaAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
LT-GaAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
AlAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
InAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
AlGaAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
InGaAs/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
InGaP/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
GaAsP/GaAs | Bolacha do GaAs | Até 4 polegadas |
Aplicações Optoelectronic:
Fotodetector, VCSELs, diodos láser, diodo emissor de luz, SOAs, medidores de ondas.
Aplicações eletrônicas:
FETs, HBTs, HEMTs, diodos, dispositivos da micro-ondas.
Estrutura de camada de Epi (HEMT/HBT)
Crescimento | MOCVD |
---|---|
Fonte do entorpecente | O tipo de P/seja, tipo de N/si |
Camada do tampo | Camada eu-GaAs |
Camada ativa | camada dos n-AlGaAs |
Camada do espaço | camada dos i-AlGaAs |
Camada do amortecedor | Camada eu-GaAs |
Carcaça | Ø 3"/Ø 4" bolacha do GaAs |