500Um a 625Um GaAs baseou a categoria mecânica lustrada bolacha da categoria de Epi

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Lugar de origem:China
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Capacidade da fonte:10000 partes pelo mês
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O GaAs baseou a bolacha de Epi

 

Nós fornecemos o crescimento epitaxial do MBE/MOCVD da estrutura feita sob encomenda na carcaça do GaAs para a microeletrônica, ótica eletrónica e aplicações da micro-ondas do RF, no dimetro Ø 3" a Ø 4". Com nossa experiência extensiva do MOCVD, nós podemos crescer a liga binária (LT-GaAs, AlAs) ou a liga ternária (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) na carcaça do GaAs, estruturas do superlattice da camada do singel ou da múltiplo-camada com qualidade cristalina superior para encontrar uma variedade de necessidades do dispositivo. Nossos peritos altamente qualificados podem trabalhar com você para projetar e aperfeiçoar sua estrutura de camada do epi do GaAs. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto ou discuta-o sua estrutura de camada do epi.

O GaAs baseou a capacidade da bolacha de Epi

Nossos reatores so configurados para uma variedade de sistemas e condições de processo materiais. Nós podemos fornecer a epitaxia feita sob encomenda para uma variedade de aplicações do dispositivo que variam do diodo emissor de luz aos HEMTs.
 

Capacidade materialCarcaçaTamanho da bolacha
GaAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
LT-GaAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
AlAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
InAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
AlGaAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
InGaAs/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
InGaP/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas
GaAsP/GaAsBolacha do GaAsAté 4 polegadas

 

Aplicações Optoelectronic:

Fotodetector, VCSELs, diodos láser, diodo emissor de luz, SOAs, medidores de ondas.

Aplicações eletrônicas:

FETs, HBTs, HEMTs, diodos, dispositivos da micro-ondas.

 

 

Estrutura de camada de Epi (HEMT/HBT)

 
CrescimentoMOCVD
Fonte do entorpecenteO tipo de P/seja, tipo de N/si
Camada do tampoCamada eu-GaAs
Camada ativacamada dos n-AlGaAs
Camada do espaçocamada dos i-AlGaAs
Camada do amortecedorCamada eu-GaAs
CarcaçaØ 3"/Ø 4" bolacha do GaAs

 

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