bolacha de CdSe CdTe ZnS ZnSe dos CD da bolacha de 350um ZnO e bolacha de ZnTe

Number modelo:MS
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1 parte
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:10000 partes pelo mês
Prazo de entrega:3 dias de trabalho
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Bolacha da bolacha, dos CD de ZnO, bolacha de CdSe, bolacha de CdTe, bolacha de ZnS, bolacha de ZnSe e bolacha de ZnTe

 

Nós fornecemos bolacha de cristal de ZnO da pureza alta a única e o volume de ZnO para o dispositivo de poder, as aplicações do diodo emissor de luz, do sensor e do detector. Com uma estrutura de cristal ideal, a bolacha de ZnO (óxido de zinco) tem uma má combinaço da estrutura de 2% a GaN, de que é muito menos do que a má combinaço da estrutura da bolacha da safira e sic da bolacha. A bolacha de ZnO é uma da carcaça a mais apropriada para usar-se como o crescimento epitaxial de GaN e a aplicaço larga do semicondutor da diferença de faixa. A bolacha de ZnO é fornecida na forma quadrada, undoped, tamanho 10 x 10 x 0,5 milímetros, os lados dobro lustraram o revestimento de superfície e orientado, nossa bolacha de alta qualidade de ZnO foi amplamente utilizada para o crescimento de

dispositivos da base do nitreto. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Aplicaço da bolacha de ZnO

 

Crescimento epitaxial de GaNDetectores UV
Dispositivos de poderDispositivos luminescentes
FotovoltaicoSensores

 

Propriedades da bolacha de ZnO

 
Fórmula químicaZnO
Estrutura de cristalSextavado
Entrelace constante3,3 A
Má combinaço da estrutura com o GaN no plano de <0001>9
Condutibilidade térmica0,006 cal/cm /K
R.I.2.0681 / 2,0510
Cara lustrada identificadaZn - cara/O - cara

Especificaço de produto

 
CrescimentoHidrotermal
Volume de ZnO/bloco26,5 x 26,5 x 10 milímetros
Bolacha de ZnO10 x 10 x 0,5 milímetros
OrientaçoCara <0001> do Zn/cara <000-1> de O
Resistividade500 - 1000 ohm-cm
Superfíciedois lados lustrados
Aspereza<= 10 A do Ra
PacoteCaixa de Membrance

 

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