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Bolacha da bolacha, dos CD de ZnO, bolacha de CdSe, bolacha de CdTe, bolacha de ZnS, bolacha de ZnSe e bolacha de ZnTe
Nós fornecemos bolacha de cristal de ZnO da pureza alta a única e o volume de ZnO para o dispositivo de poder, as aplicações do diodo emissor de luz, do sensor e do detector. Com uma estrutura de cristal ideal, a bolacha de ZnO (óxido de zinco) tem uma má combinaço da estrutura de 2% a GaN, de que é muito menos do que a má combinaço da estrutura da bolacha da safira e sic da bolacha. A bolacha de ZnO é uma da carcaça a mais apropriada para usar-se como o crescimento epitaxial de GaN e a aplicaço larga do semicondutor da diferença de faixa. A bolacha de ZnO é fornecida na forma quadrada, undoped, tamanho 10 x 10 x 0,5 milímetros, os lados dobro lustraram o revestimento de superfície e orientado, nossa bolacha de alta qualidade de ZnO foi amplamente utilizada para o crescimento de
dispositivos da base do nitreto. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
Aplicaço da bolacha de ZnO
Crescimento epitaxial de GaN | Detectores UV |
Dispositivos de poder | Dispositivos luminescentes |
Fotovoltaico | Sensores |
Propriedades da bolacha de ZnO
Fórmula química | ZnO |
Estrutura de cristal | Sextavado |
Entrelace constante | 3,3 A |
Má combinaço da estrutura com o GaN no plano de <0001> | 9 |
Condutibilidade térmica | 0,006 cal/cm /K |
R.I. | 2.0681 / 2,0510 |
Cara lustrada identificada | Zn - cara/O - cara |
Especificaço de produto
Crescimento | Hidrotermal |
---|---|
Volume de ZnO/bloco | 26,5 x 26,5 x 10 milímetros |
Bolacha de ZnO | 10 x 10 x 0,5 milímetros |
Orientaço | Cara <0001> do Zn/cara <000-1> de O |
Resistividade | 500 - 1000 ohm-cm |
Superfície | dois lados lustrados |
Aspereza | <= 10 A do Ra |
Pacote | Caixa de Membrance |