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carcaça clara de alta qualidade de quartzo, incluindo a bolacha do silicone fundido e a bolacha de quartzo fundido na categoria UV, categoria ótica
Nós fornecemos a carcaça clara de alta qualidade de quartzo, incluindo a bolacha do silicone fundido e a bolacha de quartzo fundido na categoria UV, na categoria ótica e na categoria do semicondutor. A bolacha de quartzo tem muitas características originais tais como a alta temperatura de trabalho, anti corroso alta, boa condutibilidade térmica, transmitncia ótico alto e a baixa perda dielétrica, estas características especiais faz a bolacha de quartzo apropriada para o semicondutor, o photomask, o filtro de micro-ondas, o lense ótico, e a aplicaço de fibra ótica. A bolacha de quartzo pode ser fabricada em redondo ou a forma quadrada, com um SEMI liso ou sem plano, um lado lustrado ou dois lados lustrados, tamanho de 1" a 12", escala da espessura de 0,4, 0,5, 0,7, 1,1 a 3 milímetros, limpeza ultrassônica e pacote compatível da gaveta da bolacha da sala de limpeza está igualmente disponível. Adicionalmente, nós oferecemos as especificações feitas sob encomenda projetadas a suas necessidades originais que incluem, dimenso, SEMI. planos padro, aspereza de superfície, perfil da borda, espessura, nivelamento, qualidade de superfície, método do pacote da limpeza. Nós temos a bolacha amorfa de quartzo na máquina do estoque e da lata a sua especificaço com revestimento da superfície da elevada preciso. Contacte-nos por favor para uma informações sobre o produto mais adicional.
Alta temperatura de trabalho | Transmisso ótica alta |
Estabilidade alta | Anti corroso alta |
Boa condutibilidade térmica | baixa perda dielétrica |
Constante dielétrica estável | Propriedades mecnicas superiores |
Bolacha do silicone fundido (Silicone sintético) | Bolacha de quartzo fundido (Silicone de Natual) |
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Índice alto >1200 do OH | Baixo índice do OH > 150 |
Transmisso mais alta na escala UV | Mais baixa transmisso na escala UV |
Bolhas e inclusões livres | Contenha bolhas e inclusões |
Fluorescência muito baixa | Fluorescência alta |
Impureza 5 ppm | Impureza 20 ~ 40 ppm |
Fórmula química | SiO2 |
Propriedades mecnicas | |
Densidade | 2,2 g/cm3 |
A relaço de Poisson | 0,14 ~ 0,17 |
Módulo Young | Mpa 72000 |
Módulo da rigidez | Mpa 31000 |
A dureza de Moh | 5,5 ~ 6,5 |
Propriedades térmicas | |
Ponto da transformaço | °C 1120 |
Ponto de amaciamento | °C 1680 |
Calor específico (20 ~ °C) 350 | 670 J/quilograma do °C |
Condutibilidade térmica (°C) 20 | 1,4 com o °C de m |
Coeficiente da expanso térmica | °C de 5.5×10 -7 cm/cm |
Propriedades elétricas | |
Resistividade | 7E7 ohm-cm |
Força de isolamento | 250 ~ 400 quilovolts/cm |
Constante dielétrica e | 3,7~ 3,9 |
Coeficiente de absorço dielétrica. | < 4E4 |
Coeficiente dielétrico do desperdício. | < 1E4 |
Propriedades óticas | |
R.I. (@ 589 nanômetro) | Nd =1.4584 |