Dispositivo optoeletrônico Wafer SiC para diodos emissores de luz

Number modelo:MS
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1 parte
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Capacidade da fonte:10000 partes pelo mês
Prazo de entrega:3 dias de trabalho
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Zhengzhou Henan China
Endereço: No. 26, rua de Dongqing, zona da Alto-tecnologia, Zhengzhou, Henan, China
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Bolacha de SIC

 

A bolacha de semicondutor, Inc. (SWI) fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geraço, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas bolacha de silicone e bolacha do GaAs, sic bolacha so mais apropriadas para a aplicaço do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no dimetro 2 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Sic aplicaço da bolacha

 

Dispositivo de alta frequênciaDispositivo de alta temperatura
Dispositivo de poder superiorDispositivo Optoelectronic
Dispositivo da epitaxia de GaNDiodo luminescente

 

Sic propriedades da bolacha

 
Polytype6H-SiC4H-SiC
Sequência de empilhamento de cristalABCABCABCB
Parmetro da estruturaa=3.073A, c=15.117Aa=3.076A, c=10.053A
Faixa-GapeV 3,02eV 3,27
Constante dielétrica9,669,6
Índice da refraçon0 =2.707, ne =2.755ne =2.777 de n0 =2.719

Especificaço de produto

 
Polytype4H / 6H
DimetroØ 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura330 um ~ 350 um
OrientaçoNa linha central <0001> /fora da linha central <0001> fora de 4°
CondutibilidadeN - tipo/Semi-isolamento
EntorpecenteN2) (do nitrogênio/V (vanádio)
Resistividade (4H-N)0,015 ~ 0,03 ohm-cm
Resistividade (6H-N)0,02 ~ 0,1 ohm-cm
Resistividade (SI)> 1E5 ohm-cm
SuperfícieO CMP lustrou
TTV<>
Curva/urdidura<>
CategoriaCategoria da produço/categoria da pesquisa

 

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