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Bolacha de SIC
A bolacha de semicondutor, Inc. (SWI) fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geraço, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas bolacha de silicone e bolacha do GaAs, sic bolacha so mais apropriadas para a aplicaço do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no dimetro 2 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
Sic aplicaço da bolacha
Dispositivo de alta frequência | Dispositivo de alta temperatura |
Dispositivo de poder superior | Dispositivo Optoelectronic |
Dispositivo da epitaxia de GaN | Diodo luminescente |
Sic propriedades da bolacha
Polytype | 6H-SiC | 4H-SiC |
Sequência de empilhamento de cristal | ABCABC | ABCB |
Parmetro da estrutura | a=3.073A, c=15.117A | a=3.076A, c=10.053A |
Faixa-Gap | eV 3,02 | eV 3,27 |
Constante dielétrica | 9,66 | 9,6 |
Índice da refraço | n0 =2.707, ne =2.755 | ne =2.777 de n0 =2.719 |
Especificaço de produto
Polytype | 4H / 6H |
---|---|
Dimetro | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
Espessura | 330 um ~ 350 um |
Orientaço | Na linha central <0001> /fora da linha central <0001> fora de 4° |
Condutibilidade | N - tipo/Semi-isolamento |
Entorpecente | N2) (do nitrogênio/V (vanádio) |
Resistividade (4H-N) | 0,015 ~ 0,03 ohm-cm |
Resistividade (6H-N) | 0,02 ~ 0,1 ohm-cm |
Resistividade (SI) | > 1E5 ohm-cm |
Superfície | O CMP lustrou |
TTV | <> |
Curva/urdidura | <> |
Categoria | Categoria da produço/categoria da pesquisa |