Transistor de alta tensão MMBT5551 do amplificador de uso geral do silicone NPN
Number modelo:MMBT5551
Quantidade de ordem mínima:10 PCes
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:1kk/months
Prazo de entrega:1-7 dias
Detalhes de empacotamento:caixa
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala A202, A de construção, No.6 estrada huanping, a comunidade de Gaoqiao, rua de Pingdi, distrito de Longgang, Shenzhen 518117
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2N5551 / Silicone de alta tenso de uso geral do transistor NPN do amplificador MMBT5550LT1 de MMBT5551 NPN
SOT-23 - Transistor de poder e Darlingtons
Número da peça
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56
CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T
CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Características elétricas
Mfr. # | MMBT5551 |
| Montando o estilo | SMD/SMT |
| Polaridade do transistor | NPN |
| Configuraço | Único |
| Tenso VCEO do emissor do coletor máxima | 160 V |
| Tenso baixa VCBO do coletor | 180 V |
| Tenso baixa VEBO do emissor | 6 V |
| Tenso de saturaço do Coletor-emissor | 0,2 V |
| Corrente de coletor máxima da C.C. | 0,6 A |
| Paládio - dissipaço de poder | 325 mW |
| Produto fT da largura de banda do ganho | 300 megahertz |
| Temperatura de funcionamento mínima | - 55 C |
| Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
| Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho | 80 em 10 miliampères, 5 V |
| HFE do ganho atual de C.C. máximo | 250 em 10 miliampères, 5 V |
| Tipo de produto | BJTs - transistor bipolares |
Características elétricas (em Ta =°C 25 salvo disposiço em contrário)
Transistor de alta tensão MMBT5551 do amplificador de uso geral do silicone NPN
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