4 chipset duplos do leitor de cartão do entalhe dos tanques do SAM e furto magnético da trilha

Número do modelo:MT3
Lugar de origem:China
Relação:USB, USB ou RS232
Instalação:Externo
Ranhuras para cartão:Tudo em 1/multi em 1
Tipo:Cartão do SD, cartão da vara da memória, cartão da manutenção programada, cartão dos CF, cartão de X
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: Ao sul do 4° andar, construção 1, parque de ciência de Yizhongli, no. 6, primeira estrada de Langshan, parque de Gaoxin, distrito de Nanshan, Shenzhen
Fornecedor do último login vezes: No 1 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Ranhuras para carto dobro (furto magnético da trilha do reader& dos chipset) com os 4 tanques do SAM.

 

 

Características

 

Velocidade máxima do Ø USB2.0

Smart card do Ø de leitura/gravaço

Tipo padro A/B do ISO 14443 do Ø

ISO padro 7816 do Ø

ISO 7810/7811 do ØStandard, IBM4746

Ø 4 entalhes do SAM

Ø 3 diodos emissores de luz

Campainha elétrica Usuário-verificável do Ø

Apoio Windows XP do ósmio do Ø/7/8/10, Linux/Android

 

 

Especificações

ProjetoEspecificações técnicas
Dimensões179mm×104mm×57mm
Relaço do poder
Fonte de energiaUSB
Tenso de fonteC.C. 5V±5%
Fonte atual≦300mA
Comprimento do cabo, cabo1.8m, fixado (no-destacável),
Relaço de comunicaço
ProtocoloUSB ESCONDEU
VelocidadeVelocidade máxima de USB (12Mbps)
Relaço sem contato do carto de IC
PadroISO14443 tipo A&B, Mifare S50/S70
ProtocoloISO14443 /1/2/3/4 T=CL, MIFARE
Frequência de funcionamento13.56MHz±7kHz
Smart Card de leitura/gravaço    Velocidade106/212/424Kbps
Distncia de funcionamento0~30mm
Relaço do carto de IC do contato
PadroClasse A, B e C do ISO 7816 (5V, 3V, 1.8V)
ProtocoloT=0 e T=1
Apoio do carto de memóriasmart card Memória-baseados
Smart card de leitura/gravaço   Velocidade9600~115200 bps
Procurar um caminho mais curto a proteço+5V/GND em todos os pinos
Conector de cartoAterrissagem
Ciclos da inserço de cartomin.100, 000
Relaço do carto do SAM
Número4 padro SAM Slots
PadroClasse A do ISO 7816 (5V)
ProtocoloT=0 e T=1
Smart card de leitura/gravaço   Velocidade9600~38400 bps
Relaço do carto magnético
PadroISO 7810/7811, IBM4746
Trilho magnéticoCarto magnético 1, 2, informaço de 3 trilhas (leia somente)
Perpherals incorporado
Diodo emissor de luz3 diodos emissores de luz, diodo emissor de luz vermelho para o estado de poder, diodo emissor de luz verde para o estado de carto
Campainha elétricaMonótonos
Viso do dispositivoApoio
SN do dispositivoApoio
Sistema de apoioWindows XP/7/8/10, Linux/Android5.1 e acima
Ambiente de trabalho
Temperatura0℃ ~ 50℃
Umidade10% ~ 90% (No-condensaço)
Suporte laboral
APIWindows 32&64bit SDK
Serviço técnicoFonte SDK e programa demonstrativo
CertificaçõesContato PBOC3.0 L1, PBOC3.0 sem contato L1, contato EMV L1, EMV sem contato   L1, CE, FCC, RÓS

 

Aplicações

  • O governo eletrónico
  • Banco e pagamento
  • Médico eletrônico
  • segurança do cyber
  • Controle de acesso
  • Transporte público

 

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4 chipset duplos do leitor de cartão do entalhe dos tanques do SAM e furto magnético da trilha

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