MOSFET JY11M para circuitos de alta frequência e com comutação dura

Número do modelo:JY11M
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:50pcs (amostra disponível)
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade de fornecimento:1000 pcs por dia
Prazo de entrega:dependa da quantidade /Negotiable da ordem
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Fornecedor verificado
Changzhou Jiangsu China
Endereço: No.299 Changjiang North Rd, cidade de Changzhou, JIangsu, China
Fornecedor do último login vezes: No 3 Horas
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Descriço geral:


O JY11M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligaço com alta classificaço de avalanche repetitivo.
As características combinadas tornam este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicações de comutaço de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.


 Características:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperaço do corpo para trás
● Voltagem e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
● Excelente embalagem para boa dissipaço de calor

 

Aplicações:

 

● Mudança de aplicaço
● Circuitos de alta frequência e de comutaço rígida
● Gesto de energia para sistemas de inversores

 

Descriço do PIN:

 

Valores máximos absolutos ((Tc=25°C, salvo indicaço em contrário):

 

SímboloParmetroLimiteUnidade
VD.S.Voltagem da fonte de drenagem100V
VGSVoltagem da fonte da porta± 20V
Eu...DCorrente de drenagem contínuaTC=25°C110A
TC=100°C82
Eu...DMCorrente de drenagem pulsada395A
PDDissipaço máxima de energia210W
TJTGSTIntervalo de temperatura da junço de funcionamento e do armazenamento-55~+175°C
RΘJCResistência térmica-juntamento com a caixa0.65°C/W
RθJA
Resistência térmica-junço com ambiente62

 

TO220-3 Esboço do pacote:


 

SímbolommpolegadaSímbolommpolegada
Min.NomeMax.Min.NomeMax.Min.NomeMax.Min.NomeMax.
A4.404.574.700.1730.1800.185Øp11.401.501.600.0550.0590.063
A11.271.301.330.0500.0510.052e2.54BSC0.1BSC
A22.352.402.500.0930.0940.098e15.08BSC0.2BSC
b0.77-0.900.030-0.035H16.406.506.600.2520.2560.260
b21.23-1.360.048-0.054L12.75-13.170.502-0.519
C0.480.500.520.0190.0200.021L1--3.95--0.156
D15.4015.6015.800.6060.6140.622L22.50REF.0.098REF.
D19.009.109.200.3540.3580.362Øp3.573.603.630.1410.1420.143
DEP0.050.100.200.0020.0040.008Q2.732.802.870.1070.1100.113
E9.709.9010.100.3820.3890.398Θ1
E1-8.7--0.343-Θ2
E29.8010.0010.200.3860.940.401       

 

 

Para mais informações, entre em contato diretamente conosco através do e-mail: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 
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MOSFET JY11M para circuitos de alta frequência e com comutação dura

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