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Descriço geral
O produto é um MOSFET de alta tenso e alta velocidade e um
controlador IGBT baseado no processo P-SUB P-EPI.O driver de canal
flutuante pode ser usado para conduzir dois MOSFET de potência de
canal N ou IGBT independentemente que opera até 150VAs entradas
lógicas so compatíveis com as saídas CMOS ou LSTTL padro, até 3,3V.
Os drivers de saída possuem um estágio tampo de corrente de alto
pulso projetado para conduço cruzada mínima do driver.Os atrasos de
propagaço so combinados para simplificar a utilizaço em aplicações
de alta frequência.
Características:
● Compatível com a lógica 3.3V
● Totalmente operacional a + 150 V
● Canal flutuante concebido para operaço de arranque
● Faixa de alimentaço do acionamento de porto de 5,5 V a 20 V
● Capacidade de corrente de saída Fonte/Sink 450mA/850mA
● Entrada lógica independente para acomodar todas as topologias
● -5V negativo Vs capacidade
● Tempo de propagaço igual para ambos os canais
Aplicações
● MOSFET de potência ou driver IGBT
● Motorista de motores de pequena e média potência
Número de pin | Nome do pin | Funço do pin |
1 | Vcc | Fornecimento de energia lateral inferior e principal |
2 | HIN | Entrada lógica para saída do condutor de porta lateral elevada (HO) |
3 | LIN | Entrada lógica para saída do condutor da porta lateral baixa (LO) |
4 | COM | Terra |
5 | LO | Saída de acionamento de porta lateral baixa, em fase com LIN |
6 | Versus | Suporte flutuante lateral superior retorno ou bootstrap |
7 | H.O. | Saída de acionamento de porta lateral alta, em fase com o HIN |
8 | VB | Fornecimento flutuante lateral superior |
Símbolo | Definiço | Min. | Max. O quê? | Unidades |
VB | Fornecimento flutuante lateral superior | -No.3 | 150 | V |
VS | Retorno da oferta flutuante lateral superior | VB- 20 | VB+0.3 | |
VH.O. | Saída de acionamento de porta lateral alta | VS-No.3 | VB+0.3 | |
VCC | Fornecimento de energia lateral inferior e principal | -No.3 | 25 | |
VLO | Saída de acionamento de porta lateral baixa | -No.3 | VCC+0.3 | |
VIN | Entrada lógica do HIN&LIN | -No.3 | VCC+0.3 | |
ESD | Modelo HBM | 2500 | V | |
Modelo da máquina | 200 | V | ||
PD | Dissipaço da potência do pacote @TA≤ 25oC | - No. | 0.63 | W |
Rth- Sim. | Junço de resistência térmica com ambiente | - No. | 200 | oC/W |
TJ | Temperatura de junço | - No. | 150 | oC |
TS | Temperatura de armazenamento | - 55 | 150 | |
TL | Temperatura do chumbo | - No. | 300 |
DIM | Milímetros | |
Min. | Max. | |
A | 1.35 | 1.75 |
A1 | 0.10 | 0.25 |
B | 0.35 | 0.49 |
C | 0.18 | 0.25 |
D | 4.80 | 5.00 |
E | 3.80 | 4.00 |
e | 1.27BSC | |
H | 5.80 | 6.20 |
h | 0.25 | 0.50 |
L | 0.40 | 1.25 |
O | 0° | 7° |
Para mais informações, entre em contato conosco por e-mail: ivanzhu@junqitrading.com