3 motorista do Mosfet de Bldc do circuito de ponte da fase 30A H

Payment Terms:T/T, L/C, Paypal
Number modelo:JY12M
Quantidade de ordem mínima:1 grupo
Detalhes de empacotamento:CAIXA DO PE BAG+
Lugar de origem:CHINA
Prazo de entrega:5-10 dias
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Changzhou Jiangsu China
Endereço: Rua Tianshan no 8, distrito de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, China.
Fornecedor do último login vezes: No 31 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

JY12M N e MOSFET do canal 30V de P para o motorista do motor de BLDC

 

 

 

DESCRIÇO GERAL


O JY12M é os transistor do campo do poder do modo do realce da lógica do canal de N e de P
so produzidos usando a tecnologia alta da trincheira da densidade de pilha DMOS. Este alto densidade
o processo é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado. Estes dispositivos so
serido particularmente para a aplicaço da baixa tenso tal como o celular e o caderno
gesto do poder do computador e outros circuitos a pilhas onde alto-lado
comutar, e perda de poder é precisada baixo in-line em uma superfície muito pequena do esboço
pacote da montagem.


CARACTERÍSTICAS

DispositivoRDS (SOBRE) MAXIDMAX (25ºC)
N-canal20mΩ@VGS=10V8.5A
32mΩ@VGS=4.5V7.0A
P-canal45mΩ@VGS=-10V-5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V-4.1A


●Baixa capacidade entrada
●Velocidade de comutaço rápida


APLICAÇÕES
Gesto do poder
●Conversor de DC/DC
●Controlo do motor da C.C.
●Tevê do LCD & inversor da exposiço do monitor
●Inversor de CCFL

 

Avaliações máximas absolutas (Ta=25ºC salvo disposiço em contrário)

ParmetroSímboloCanal de NCanal de PUnidade
segundo 10Constantesegundo 10Constante
Drene a tenso da fonteVDSS30-30V
Tenso de fonte de portaVDSS±20±20
Contínuo
Drene atual
ºC Ta=25Identificaço8,56,5-7,0-5,3
ºC Ta=706,85,1-5,5-4,1
Corrente pulsada do drenoIDM30-30
Poder máximo
Dissipaço
ºC Ta=25Paládio1,5W
ºC Ta=700,95
Junço de funcionamento
Temperatura
TJ-55 a 150ºC
Resistência térmica
Junço a ambiental
RθJA6110062103ºC/W
Resistência térmica
Junço a encaixotar
RθJC1515ºC/W


Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposiço em contrário)

SímboloParmetroCircunstnciasMinutoTipoMáximoUnidade
Estática
VGS (th)Ponto inicial da porta
Tenso
VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =250UAN-Ch1,01,53,0V
VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =-250UAP-Ch-1,0-1,5-3,0
IGSSEscapamento da porta
Atual
VDS =0V, VGS =±20VN-Ch±100nA
P-Ch±100
IDSSTenso zero da porta
Drene atual
VDS =30V, VGS =0VN-Ch1A
VDS =-30V, VGS =0VP-Ch-1
IDENTIFICAÇO (SOBRE)Dreno do Em-estado
Atual
VDS ≥5V, VGS =10VN-Ch20
VDS ≤-5V, VGS =-10VP-Ch-20
RDS (SOBRE)Dreno-fonte
Em-estado
Resistência
VGS =10V, IDENTIFICAÇO =7.4AN-Ch1520
VGS =-10V, IDENTIFICAÇO =-5.2AP-Ch3845
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =6.0AN-Ch2332
VGS =-4.5V, IDENTIFICAÇO =-4.0AP-Ch6585
VSDDiodo dianteiro
Tenso
É =1.7A, VGS =0VN-Ch0,81,2V
É =-1.7A, VGS =0VP-Ch-0,8-1,2


 

MANUAL DO USUÁRIO DA TRANSFERÊNCIA JY12M

JY12M.pdf

China 3 motorista do Mosfet de Bldc do circuito de ponte da fase 30A H supplier

3 motorista do Mosfet de Bldc do circuito de ponte da fase 30A H

Inquiry Cart 0