MOSFET 100V/110A do poder de JY11M N Channel Enhancement Mode para o sistema do inversor

Number modelo:JY11M
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5pcs
Termos do pagamento:L/C, T/T
Capacidade da fonte:100000 PCS pelo mês
Prazo de entrega:5-10days
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JY11M

 

MOSFET do poder do modo do realce do canal de N


Incorporando técnicas de processamento avançadas da trincheira, o JY11M realiza uma densidade de pilha notável, uma em-resistência simultaneamente de minimizaço e uma vanglória de uma avaliaço repetitiva alta da avalancha. A convergência destes atributos torna este projeto excepcionalmente eficiente e seguro para aplicações de comutaço do poder, assim como para uma escala diversa de outros casos do uso. Obtenha mais detalhes clicam por favor aqui.

Descriço geral

O JY11M é um dispositivo de semicondutor pioneiro que incorpore técnicas de processamento avançadas da trincheira. Este projeto inovativo consegue uma densidade de pilha notável, reduzindo eficazmente a em-resistência e conseguindo uma avaliaço repetitiva alta da avalancha. Estas características proeminentes fazem o JY11M excepcionalmente eficiente e segura para aplicações de comutaço do poder, assim como uma escala diversa de outros casos do uso.

Com uma avaliaço da tenso de 100V e uma avaliaço atual de 110A, o JY11M oferece o desempenho excelente. Vangloria-se de uma baixa em-resistência (o RDS (SOBRE)) de 6.5mΩ em uma tenso da porta-fonte (VGS) de 10V, assegurando operações de interruptor eficientes do poder. O dispositivo igualmente caracteriza o interruptor rápido e a recuperaço reversa do corpo, permitindo operações de comutaço rápidas e eficientes.

Além disso, o JY11M é caracterizado inteiramente em termos da tenso de avalancha e atual, assegurando a operaço segura sob circunstncias extremas. Seu projeto de pacote excelente facilita a dissipaço de calor eficaz, aumentando a confiança e a longevidade totais do dispositivo.

Em resumo, o JY11M é um semicondutor avançado que combine uma densidade de pilha alta, uma em-resistência minimizada, e uma avaliaço repetitiva alta da avalancha. Estas qualidades fazem-lhe uma escolha excepcionalmente eficiente e segura para aplicações de comutaço do poder, assim como para os vários casos do uso onde o desempenho robusto é exigido.

Características

100V/110A, RDS (SOBRE) =6.5MΩ@VGS=10V
●Interruptor rápido e recuperaço reversa do corpo
●Caracterizou inteiramente a tenso e a corrente de avalancha
●Pacote excelente para a boa dissipaço de calor

Aplicações
 

Aplicaço de comutaço
●Circuitos duramente comutados e de alta frequência
●Gesto do poder para sistemas do inversor

 

PIN Description

Esboço do pacote To-220-3

Imagens

China MOSFET 100V/110A do poder de JY11M N Channel Enhancement Mode para o sistema do inversor supplier

MOSFET 100V/110A do poder de JY11M N Channel Enhancement Mode para o sistema do inversor

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