Controlador do poder do SCR dos componentes Skkt162 16e do semicondutor dos módulos de poder do tiristor

Number modelo:SKKT106 / 16E
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10 partes
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:10000 partes/partes pelo semicondutor Skkt162 dos módulos do mês
Prazo de entrega:1-10T - 7Days, 11-25T - 10Days, 26-100 - 10Days, > 100-To seja negociado
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Shanghai Shanghai China
Endereço: 88 século Dadao, área nova de Pudong, Shanghai, China
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Controlador do poder do SCR dos componentes Skkt162 16e do semicondutor dos módulos de poder do tiristor

No. SKKT162/16 do modelo (nós podemos oferecer outros modelos tais como MTT, PK, TT, SKKT, SKKH, IRKT, CCM, CTT, paládio, TM…)

Nome de Produc: controlador do poder do SCR dos componentes skkt162 16e do semicondutor dos módulos de poder do tiristor

Aplicações:

1. o controle das elétrico-máquinas de ac/dc e vário controlo de retificaço do controlling&industral-aquecimento

2. luz-regulamento

3. interruptor do no-toque

4. macio-acionadores de partida para o eletromotor

5. o soldador/transformador elétricos da frequência levanta o poder

6. carregamento e descarregamento da bateria

7. maquinaria da indústria da construço civil

# propriedades do semicondutor Skkt162 dos módulos


Especificaço

Condiço de teste

TJ

valores de parmetro

Unidade

Mínimo.

Típico

Máximo.

Ele (avoirdupois)

Corrente da média de Tongtai

Onda de seno em 180℃, 50Hz, dissipaço de calor frente e verso, TC=85℃

125



55

Ele (RMS)

Corrente média quadrada da raiz


125



86

Vdrm

tenso máxima repetitiva do fora-estado

VDRM & VRRM tp=10rms

VDSM & VRSM= VDRM& VRRM +200V

125

500


2500

V

Vrrm

tenso reversa máxima repetitiva

125

500


2500

V

Idrm

corrente máxima repetitiva do fora-estado

VDM = VDRM

VRM= VRRM

125



8

miliampère

Irrm

corrente máxima repetitiva do reverso

150



8

miliampère

Itsm

Corrente de impulso derepetiço dianteira

largura da parte inferior 10ms, Vr=0.6Vrrm metade-sinusoide

125



1,25

KA

² t de I

Produto esquadrado do tempo da corrente de impulso

25



7,80

A2S103

Vto

tenso do ponto inicial


125



0,85

V

rt

resistência da inclinaço


125



3,47

m

Vtm

tenso dianteira máxima

ITM= 170A

25



1,10

V

dv/dt

Taxa crítica da elevaço de tenso do em-estado

VDM=0.67VDRM

125



800

V/us

di/dt

Taxa crítica da elevaço de corrente do em-estado

IMT=52A

Disparador amplitudeIGR=1.5A atual da porta

Tr≤ atual 0.5us do tempo de elevaço da porta

125



50

A/us

Igt

corrente do disparador da porta

VA=12V, IA=1A

25

30


100

miliampère

Vgt

tenso de disparador da porta

0,8


2,5

V

Ih

corrente de terra arrendada

20


150

miliampère

Vgd

tenso do no-disparador da porta

VDM=0.67VDRM

125

0,2



V

Rth (j-c)

Impedncia térmica (nó a descascar)

onda de seno 180℃, única dissipaço de calor lateral




0,530

℃ /W

Rth (c-h)

Impedncia térmica (escudo ao radiador)

onda de seno 180℃, única dissipaço de calor lateral




0,2

℃ /W

Viso

tenso do isolamento



2500



V

Fm

montando o torque (M5)




4


Nanômetro

montando o torque (M6)




6


Nanômetro

Tstq

Temperatura de armazenamento



-40


125

Peso

Qualidade

110g





g

esboço

Aparência

101f





* detalhes de embalagem: Caixa.
* detalhes da entrega: 7 dias após ter obtido o pagamento. Carto de nome.


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