Disposição de porta programável do campo de EP3SE80F780C3N 500kbit

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Number modelo:EP3SE80F780C3N
Quantidade de ordem mínima:1 PCS
Capacidade da fonte:136pcs
Prazo de entrega:3-5 dia
Detalhes de empacotamento:Empacotamento do standard internacional
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Disposiço de porta programável Stratix do campo de EP3SE80F780C3N III aumentado

 

Atributo de produtoValor de atributo
Intel
FPGA - Disposiço de porta programável do campo
Stratix III aumentado
80000
3200
I/O 488
1,2 V a 3,3 V
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
FBGA-780
Bandeja
Série:Stratix III
Tipo:Intel/Altera
Bloco encaixado RAM - EBR:kbit 500
Umidade sensível:Sim
Tipo de produto:FPGA - Disposiço de porta programável do campo
Quantidade do bloco da fábrica:36
Subcategoria:Lógica programável CI
Memória total:kbit 6683
Tradename:Stratix
Parte # pseudônimos:971852

Os dispositivos de Stratix III oferecem as seguintes características:
Apoio para megafunctions múltiplos da propriedade intelectual das funções de Altera® MegaCore® e do programa de sócios de Altera Megafunction (AMPPSM)
■Apoio para os padrões de alta velocidade do ônibus dos trabalhos em rede e das comunicações que incluem SPI-4.2, SFI-4, SGMII, utopia IV, 10 Gigabit Ethernet XSBI, o I/O rápido, e o NPSI
■O único alto densidade, FPGA de capacidade elevada com apoio para 256 o bocado AES temporário e a chave permanente da segurança para proteger projetos
■Os blocos de alta velocidade de DSP fornecem aplicaço dedicada de 9×9, 12×12, 18×18, e os multiplicadores 36×36 (em até 550 megahertz), multiplicar-acumulam funções, e filtros finitos da resposta de impulso (ABETO)
■I/O: Terra: Relaço do PWR do 8:1: 1 junto com o em-dado e o em-pacote que decuplam para a integridade de sinal robusta
■Tecnologia programável do poder, que minimiza o poder ao maximizar o desempenho do dispositivo
■Até 12 laços fase-fechados (PLLs) pelo dispositivo que apoiam a reconfiguraço de PLL, o switchover do pulso de disparo, a largura de banda programável, a síntese do pulso de disparo, e deslocador dinmico
■Apoio da relaço da memória com lógica dedicada de DQS em todos os bancos do I/O
■Apoio para as relações externos de alta velocidade da memória que incluem a RDA, o DDR2, o DDR3 SDRAM, o RLDRAM II, o QDR II, e o QDR II+ SRAM em até 24 bancos modulares do I/O
 



 

 

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Disposição de porta programável do campo de EP3SE80F780C3N 500kbit

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