Saída à prova de fogo do porto do PC 65w GaN Charger 3 para o telefone celular/tabuleta

Number modelo:VZ-PD36
Lugar de origem:Guangdong, China
Quantidade de ordem mínima:500 PCes
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidade da fonte:50000 pelo dia
Prazo de entrega:15- 28 dias de trabalho
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saída rápida super do porto de 65w GaN Charger 3 para a tabuleta do telefone móvel

 

Característica de GaN Charger


1. lista nova do nitreto do gálio 65W de materiais do semicondutor.

2. Exposiço de tempo real branca da luz do indicador do estado atual.

3. saída do Três-porto que conduz a tendência atual da relaço.

4. compatibilidade larga compatível com todos os dispositivos de USB-A e de USB-C, tais como smartphones, tabuletas, computadores, etc.

5. Dissipaço de calor do charging& de grande eficacia baixa.

 

Especificaço de GaN Charger

 

Modelo NoVZ- PD36
CorPreto, branco
TécnicaGaN Technology
MaterialPC prova de fogo
Saída do paládio5V/ 3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3. 25A (PPS: 3. 3 - 21V/3A)
Saída de USB A5V/ 3A, 9V/2. 5A, 12V/1. 87A
Saída do paládio de PD+20W+ 45W
Saída de PD+ USB A5V/ 3. 4A
Saída de PD+ USB A45W+ 18W
Saída máxima65W
Dimensões63. 7* 32. 8* 62MM

 

A tendência geral

 

GaN toma o lugar do silicone

O silicone foi o material da escolha para transistor desde os anos 80. O silicone conduz a eletricidade melhor do que os materiais se usaram previamente, como os tubos de vácuo, e os custos podem ser reduzidos porque é mais barato produzir.

Sobre o passado poucas décadas, avanços tecnológicos trouxeram o elevado desempenho a que nós somos acostumados agora. O progresso tem seus limites, e os transistor do silicone podem aproximar seu pico. Devido s propriedades de transferência do calor e do poder de materiais do silicone, os componentes no podem ser feitos menores.

GaN, por outro lado, é um material cristalino capaz de conduzir umas mais altas tensões. A corrente corre através dos componentes feitos de GaN mais rápido do que o silicone, e processar é assim mais rapidamente. GaN é mais eficiente e produz consequentemente menos calor.

Um transistor é basicamente um interruptor. Uma microplaqueta é um componente, e há umas centenas ou mesmo uns milhares de transistor em um espaço pequeno. Usando GaN em vez do silicone, nós podemos encurtar a distncia entre todos os componentes.

Ou seja nós podemos segurar mais poder em um espaço menor. Os carregadores pequenos podem fazer mais trabalho do que grandes carregadores, e podem fazê-lo mais rapidamente.

 

Vantagens de GaN Charger

 

Como nós sabemos, o material básico da maioria de indústrias é silicone, e o silicone é um material muito importante da perspectiva da indústria eletrônica. Mas como os limites do silicone foram empurrados, parece que o desenvolvimento do silicone alcançou um gargalo. Muitas indústrias começaram a procurar umas alternativas mais apropriadas, GaN vieram superfície.

O ponto da dor de carregadores tradicionais encontra-se no grande número, grande tamanho, e incômodo para levar, especialmente agora os telefones celulares esto obtendo mais grandes e mais grandes, e assim que so carregadores do telefone celular. O carregador de GaN resolveu este problema da vida.

A vantagem a mais grande do carregador de GaN é que é no somente pequena em tamanho mas igualmente tem um poder mais alto. Geralmente, um carregador de GaN tem três portos de carregamento, que podem ser usados para dois telefones celulares e um portátil ao mesmo tempo. Os carregadores com elementos de GaN so menores e mais claros, permitindo um carregamento mais rápido e o melhor controle do calor, reduzindo o risco de superaquecimento. Além, com o apoio da tecnologia de GaN, o poder de carregamento rápido dos telefones celulares é esperado igualmente alcançar elevações novas.

 

As imagens detalhadas de 65W jejuam GaN Charger de carregamento

 

 

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Saída à prova de fogo do porto do PC 65w GaN Charger 3 para o telefone celular/tabuleta

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