Substratos de GaN

Com um amplo intervalo de banda direta (< 3,4 eV), fortes ligações atômicas, alta condutividade térmica e excelente resistência radiaço, o GaN no é apenas um material optoeletrônico de comprimento de onda curto,mas também um bom material alternativo para dispositivos de semicondutores de alta temperaturaCom base nas propriedades físicas e químicas estáveis, o GaN é adequado para aplicações de LED (luz azul, verde, UV), detectores ultravioleta e dispositivos optoeletrônicos de alta potência e alta frequência.

É fundado em 1988 em Hefei, JOPTEC um líder global no R&D e na fabricaço de pacotes herméticos do metal-vidro para circuitos integrados híbridos, laser do poder superior, o detector do comunicaço ótica, infravermelho e outros dispositivos optoelectronic. Com o investimento contínuo nas novas tecnologias e nas facilidades, JOPTEC cobre uma área de 21.000 medidores quadrados e tem desenvolvido agora um processo completo e maduro para a inspeço do projeto, da fabricaço, dos testes e da qualidade para pacotes herméticos do metal-vidro. Sobre o passado poucas décadas, a capacidade de JOPTEC, a consistência da qualidade e a confiança foram reconhecidas por clientes no mundo inteiro que escala das empresas internacionais principais do laser do poder superior, da comunicaço ótica, da defesa e das agências aeroespaciais aos estabelecimentos médicos e de pesquisa.