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Descriço do produto
10G DWDM SFP+ 40KM 16dB EML C-Band 50GHz 100GHz 200GHz rede ITU
Descriço
O transceptor SFP+ER DWDM da Gezhi Photonics foi projetado para aplicações de 10GBASE-ER/EW e 8.5G/10G Fiber-Channel.A secço do transmissor incorpora um laser EML refrigeradoA secço receptor é constituída por um fotodiodo PIN integrado com um TIA. Todos os módulos satisfazem os requisitos de segurança de classe I.As funções de diagnóstico digital esto disponíveis através de uma interface serial de 2 fios, conforme especificado na SFF-8472, que permite o acesso em tempo real aos parmetros de funcionamento do dispositivo, tais como temperatura do transceptor, corrente de distorço do laser, potência óptica transmitida,de potência óptica recebida e tenso de alimentaço do transceptor.
Características
Aplicaço
Classificações máximas absolutas
Parmetro | Símbolo | Min. | Max. | Unidade |
Tenso de alimentaço | Vcc | -No.5 | 3.8 | V |
Temperatura de armazenamento | Tst | - 40 | 85 | oC |
Umidade relativa | RH | 0 | 85 | % |
Condições de funcionamento
Parmetro | Símbolo | Min. | Tipico | Max. | Unidade |
Tenso de alimentaço | Vcc | 3.13 | 3.3 | 3.47 | V |
Corrente de alimentaço | C.I.C. | 360 | 450 | mA | |
Temperatura da caixa de funcionamento | Tca | - 5 | - | 70 | oC |
Dissipaço de energia do módulo | Pm | - | 1.2 | 1.5 | W |
Notas:
[1] A corrente de abastecimento é compartilhada entre VCCTX e VCCRX.
[2] O nível de corrente em corrida é definido como o nível de corrente acima dos requisitos de corrente de estado estacionário
Especificações do transmissor ¢ Elétrico
Parmetro | Símbolo | Min. | Tipico | Max. | Unidade |
Taxa de dados | Mra | - | 10.3 | 11.3 | Gbit/s |
Impedncia diferencial de entrada | Borda | - | 100 | - | Ó |
Dados diferenciais | VtxDIFF | 120 | - | 850 | mV |
Transmisso de tenso desativada | Doenças venéreas | 2.0 | - | Vcc3+0.3 | V |
Transmisso de tenso activa | Ven | 0 | - | +0.8 | V |
Transmitir Desativar Tempo de afirmaço | Vn | - | - | 100 | nós |
Especificações do receptor Optical
Parmetro | Símbolo | Min. | Tipico | Max. | Unidade |
Comprimento de onda operacional de entrada | λ | 1260 | - | 1620 | nm |
Potência média de recepço | - | - | - Um.0 | dBm | |
Sensibilidade do receptor em OMA | - | - | - Quatorze.1 | dBm | |
Sensibilidade do receptor sob estresse em OMA [1] | - 11 anos.3 | dBm | |||
Potência máxima de entrada | RX - sobrecarga | - | - | - Um. | dBm |
Reflexo | Rrx | - | - | - 27 | dB |
Perda de sinal confirmada. | - 25 | - | - | dBm | |
Período de reestruturaço | - | - | - 16 anos. | dBm | |
LOS Histerese | 0.5 | - | - | dB |
Notas:
[1] Medido com sinal de ensaio de conformidade para BER = 10¥12Os valores de sensibilidade sob tenso indicados no quadro so para medições de BER a nível do sistema que incluem os efeitos dos circuitos CDR.Se forem realizadas medições ao nível dos componentes, deve ser atribuída uma margem adicional de 4 dB.
sem os efeitos dos circuitos CDR.
Dimenso
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