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99,95% semicondutor de processamento feito sob encomenda Ion Implantation Accessories do tungstênio
As peças da implantaço de íon do tungstênio so uma nova geraço de alta tecnologia para o tratamento de superfície material.
A implantaço de íon é um processo de baixa temperatura com que os íons de um elemento so acelerados em um alvo contínuo, mudando desse modo as propriedades do exame, as químicas ou as elétricas do alvo. A implantaço de íon é usada na fabricaço do dispositivo de semicondutor, no tratamento de superfície do metal e na pesquisa da ciência de material.
O implanter do íon é o equipamento chave em fazer o circuito integrado. Quando os feixes de íon que esto sendo disparados na superfície do semicondutor e depositados, a concentraço de portador e o tipo da conduço forem mudados. Possuindo a sua alteraço de superfície excelente, a implantaço de íon é aplicada extensamente no material semi de conduço, no metal, na cermica, no polímero alto-molecular, na implantaço de íon etc. é essencial em fazer o circuito integrado maciço (IC). As peças do molibdênio so componentes-chave no sistema da fonte de íon de implanter do íon do semicondutor para conter e proteger o componente da implantaço de íon do raio de ionizaço. .molybdenum para o implanter do íon.
Especificaço e composições quimicas
Material | Tipo | Composiço quimica (por peso) |
Tungstênio puro | W1 | >99.95%min. Mo |
Liga de cobre do tungstênio | WCu | Cu de 10%~50%/50%~90% W |
Liga pesada de Tungten | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, Fe, Mo |
Liga pesada de Tungten | WNiCu | Ni de 5% - de 9.8%, Cu |
Rênio do tungstênio | WRe | 5,0% re |
Tungstênio de Moly | MoW50 | 0,0% W |
Vantagens das peças da implantaço de íon do tungstênio
(1) a camada da implantaço de íon no tem nenhuma relaço óbvia com o material de matriz, to no há nenhuma fratura da adeso ou descascamento na superfície, e é ligada firmemente com a matriz.
(2) a implantaço de íon pode exatamente controlar a distribuiço da concentraço e da profundidade de íons implantados controlando a dose da implantaço, a energia da implantaço e a densidade do feixe.
a implantaço de íon (de 3) é realizada geralmente na temperatura ambiente e no vácuo. A superfície feita máquina do workpiece está invisível e livre da oxidaço. Pode manter a preciso dimensional original e a aspereza de superfície. É especialmente apropriado para o processo final de peças da elevada preciso.
(4) o esforço compressivo pode ser formado na camada de superfície do workpiece para reduzir as quebras de superfície.
(5) o vácuo alto limpo e o processo e os materiais no-tóxicos so adotados, a temperatura do tratamento é baixa, e o desempenho total do material a ser tratado no é afetado.
Aplicaço: peças sobresselentes do implanter do íon do
tungstênio para o semicondutor
1. A maioria de peças do tungstênio para a implantaço de íon
so usadas na indústria do semicondutor;
peças do tungstem do produto 2.We para a implantaço de íon com alto
densidade, pureza e preciso e estrutura interna homogênea;
3. Nossas peças do tungstênio para a implantaço de íon so
apropriadas para o implanter atual do feixe moderado e o implanter
atual do feixe forte;
4. as peças do tungstênio para a implantaço de íon so feitas
de acordo com o desenho do cliente.