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Fabricante | Infineon Technologies |
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Série | CoolMOS™ |
Empacotamento | Tubo |
Estado da parte | No para projetos novos |
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene tenso da fonte (Vdss) | 600V |
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3.9V @ 1mA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Dissipaço de poder (máxima) | 208W (Tc) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote/caso | TO-220-3 |