IRF3205 N-canal original IRF3205PBF do transistor do Mosfet do poder do IRF 3205 do transistor do Mosfet IRF3205 do transistor original IRF3205

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Lugar de origem:E.U.
Number modelo:IRF3205PBF
Tipo do pacote:Durante todo o furo
Tipo:Transistor do efeito de campo
Temperatura de funcionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)
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Shenzhen
Endereço: Rm18 B, bloco A, estrada de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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EmpacotamentoTubo
Estado da parteAtivo
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)55V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C110A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs8 mOhm @ 62A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs146nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds3247pF @ 25V
Dissipaço de poder (máxima)200W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipoAtravés do furo
Pacote do dispositivo do fornecedorTO-220AB





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