Transistor de poder IRFP4710PBF do transistor do Mosfet do poder do N-canal IRFP4710 IRFP 100V 72A 190W TO-247

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Lugar de origem:E.U.
Number modelo:IRFP4710PBF, IRFP460PBF
Tipo do pacote:Durante todo o furo
Tipo:Transistor do efeito de campo
Temperatura de funcionamento:-55°C ~ 175°C (TJ)
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Fornecedor verificado
Shenzhen
Endereço: Rm18 B, bloco A, estrada de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
Detalhe do produto
EmpacotamentoTubo
Estado da parteAtivo
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)100V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C72A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs14 mOhm @ 45A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @5.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds6160pF @ 25V
Dissipaço de poder (máxima)190W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipoAtravés do furo
Pacote do dispositivo do fornecedorTO-247AC






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Transistor de poder IRFP4710PBF do transistor do Mosfet do poder do N-canal IRFP4710 IRFP 100V 72A 190W TO-247

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