Microplaqueta 600V 23.8A 34W TO220 do MOSFET IC de IPA60R160C6 6R160C6

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Number modelo:IPA60R160C6
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Detalhes de empacotamento:Caixa/carretel/tubo
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Shenzhen
Endereço: Rm18 B, bloco A, estrada de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
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EmpacotamentoTubo
Estado da parteNo para projetos novos
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)600V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C23.8A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs160mOhm @ 11.3A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @3.5V @ 750µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds1660pF @ 100V
Característica do FET-
Dissipaço de poder (máxima)34W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipoAtravés do furo
Pacote do dispositivo do fornecedorPG-TO220-FP
Pacote/casoBloco TO-220-3 completo

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