BSS138 BSS138LT1G J1 SOT23 através do transistor 200MA 50V do Mosfet do furo

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Lugar de origem:E.U.
Number modelo:BSS138LT1G
Capacidade da fonte:859000PCS/Day
Detalhes de empacotamento:Caixa/carretel/tubo
Quantidade de ordem mínima:10
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Fornecedor verificado
Shenzhen
Endereço: Rm18 B, bloco A, estrada de Duhui100 Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
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EmpacotamentoFita & carretel (TR)
Estado da parteAtivo
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)50V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C200mA (Ta)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)5V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 5V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @1.5V @ 1mA
Vgs (máximo)±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds50pF @ 25V
Característica do FET-
Dissipaço de poder (máxima)225mW (Ta)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipoMontagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedorSOT-23-3 (TO-236)


Etiquetas de Produtos:
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BSS138 BSS138LT1G J1 SOT23 através do transistor 200MA 50V do Mosfet do furo

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