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| Empacotamento | Volume | |
|---|---|---|
| Estado da parte | Ativo | |
| Tipo do FET | N-canal | |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 60V | |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
| Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 1mA | |
| Vgs (máximo) | ±20V | |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| Característica do FET | - | |
| Dissipaço de poder (máxima) | 400mW (Ta) | |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Montando o tipo | Através do furo | |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-92-3 | |
| Pacote/caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Número da peça baixa | 2N7000 |