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Mo1 o molibdênio Ion Implanted Parts é mais eficaz e amplamente utilizado na pesquisa e na aplicaço da alteraço da superfície da implantaço de íon no de materiais do semicondutor. Muito a implantaço de íon do nitrogênio no pode ser realizada, e a implantaço de íon do metal pode bem ser realizada. Contudo, para o implanter tradicional do íon baseado nas necessidades de implantaço de íon do semicondutor, é difícil obter um feixe de íon relativamente forte do metal, e o custo da alteraço da superfície da implantaço de íon no de materiais do semicondutor é igualmente relativamente caro.
ESPECIFICAÇÕES & COMPOSIÇÕES QUIMICAS
Material | Categoria | Composições quimicas (por peso) |
Moly puro | Mo1 | >99.95%min. Mo |
Liga Si-Zr-Mo | TZM | Zr do si de 0,5%/0,08%/0,01 - 0,04% C |
Mo-Hf-c | MHC | Hf de 1,2%/0,05 - 0,12% C |
Rênio de Moly | Mais | 5,0% re |
Tungstênio de Moly | MoW20 | 20,0% W |
Tungstênio de Moly | MoW505 | 0,0% W |
Meios da implantaço de íon que quando um feixe de íon for emitido em um material contínuo no vácuo, o feixe de íon bate os átomos ou as moléculas do material contínuo fora da superfície do material contínuo. Este fenômeno é chamado engasgar;
Quando o feixe de íon bate o material contínuo, salta para trás da superfície do material contínuo ou das passagens através do material contínuo. Estes fenômenos so chamados dispersar;
Um outro fenômeno é que depois que o feixe de íon é disparado no material contínuo, está reduzido lentamente pela resistência do material contínuo, e fica finalmente no material contínuo. Este fenômeno é chamado implantaço de íon.
A superioridade, a exequibilidade e a perspectiva larga do mercado desta tecnologia do tratamento de superfície foram apreciadas cada vez mais por departamentos e por unidades e foram amplamente utilizadas. De acordo com anos de investigaço e desenvolvimento, a implantaço de íon do metal é especialmente apropriada para o tratamento de superfície dos seguintes tipos de ferramentas, de dados e de peças: