10*10mm2 MG-lubrificou carcaças de GaN Epitaxial Wafers On Sapphire para GaN Power Amplifier

carcaças MG-lubrificadas 10*10mm2 de GaN/safira

Os produtos do molde de PAM-XIAMEN consistem em camadas cristalinas de nitreto do gálio (GaN), do nitreto de alumínio (AlN), do nitreto de alumínio do gálio (AlGaN) e do nitreto do gálio do índio (InGaN), que so depositados em carcaças da safira. Os produtos do molde de PAM-XIAMEN permitem 20-50% vezes de ciclo mais curtos da epitaxia e umas camadas epitaxial mais de alta qualidade do dispositivo, com melhor qualidade estrutural e condutibilidade térmica mais alta, que podem melhorar dispositivos no custo, no rendimento, e no desempenho.

O PAM-XIAMEN'sGaN em moldes da safira está disponível nos dimetros de 2" até 6", e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

carcaças MG-lubrificadas 10*10mm2 de GaN/safira

Relatório de FWHM e de XRD

Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descriço feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expediço, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do no-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarizaço, a orientaço pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas no combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.

Projeto de teste: Projeto de FWHM e de XRD

A largura completa da metade-altura (FWHM) é uma expresso da escala das funções dadas pela diferença entre dois valores extremos da variável independente igual metade de seu máximo. Ou seja está a uma largura da curva espectral medida entre aqueles pontos na Y-linha central, que é metade da amplitude máxima.

Está abaixo um exemplo de FWHM e de XRD do molde de AlN:

FWHM e XRD do molde de AlN

FWHM e XRD do molde de AlN

Aqui nós mostramos a experiência como um exemplo:

Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterizaço estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:

Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterizaço estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:

Todas as amostras do filme de GaN foram depositadas em carcaças diferentes por PLD no ◦C 1000 em uma atmosfera ambiental do plasma do nitrogênio. A cmara foi bombeada para baixo aos Torr 10−6 antes que o processo do depósito começou, e o gás do N2 (com uma pureza de 99,999%) foi introduzido. A presso de funcionamento uma vez que o plasma do N2 foi injetado era o Torr 1,13 do × 10−4. Um laser do excimer de KrF (λ = 248 nanômetro, Lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, EUA) foi empregado como a fonte da ablaço e operado com uma taxa da repetiço de 1 hertz e de uma energia de pulso de 60 mJ. A taxa de crescimento média do filme de GaN era aproximadamente 1 µm/h. O raio laser era incidente em um alvo de gerencio em um ngulo de 45◦. O alvo de GaN foi fabricado por HVPE e por grupo em uma distncia fixa de 9 cm da carcaça antes de ser girado em 30 RPM durante o depósito do filme. Neste caso, ~4 filmes µm-grossos de GaN foram crescidos em um molde de GaN/safira (amostra A), safira (amostra B), si (111) (amostra C), e si (100) (amostra D). Para o GaN na amostra A, uma camada de 2-µm GaN foi depositada em primeiro lugar na carcaça da safira pelo MOCVD. A microscopia de elétron da exploraço (SEM, S-3000H, Hitachi, Tóquio, Japo), o microcopy do elétron da transmisso (TEM, H-600, Hitachi, Tóquio, Japo), a microscopia atômica da força (AFM, DI-3100, Veeco, New York, NY, EUA), a difraço de raio X do dobro-cristal (XRD, X'Pert PRO MRD, PANalytical, Almelo, os Países Baixos), o photoluminescence de baixa temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tóquio, Japo), e a espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tóquio, Japo) foram empregados para explorar a microestrutura e as propriedades óticas dos moldes de GaN depositados em carcaças diferentes. As propriedades elétricas dos filmes de GaN foram determinadas pela medida de Van der Pauw-Salo sob o nitrogênio líquido que refrigera em 77 K

Em figura 4, o quadrado RMS do ‐ do meio do ‐ da raiz avalia para as amostras A, B, C, e D é 2,1, 3,4, 14,3, e 17,7 nanômetro, respectivamente. O filme crescido nas amostras A e B exibiu bastante uma superfície lisa, com a aspereza do RMS que é 3,4 e 2,1 nanômetro, respectivamente, e a aspereza de superfície do RMS das amostras C e D foram calculados como 14,3 e 17,7 nanômetro, respectivamente. Os grandes valores para a aspereza de superfície dos filmes de GaN nas amostras C e D puderam ser devido grande má combinaço da estrutura entre o filme e as carcaças

Uma diminuiço nos roughnessoccurs de superfície com um aumento no tamanho de gro, como mencionado no XRD resulta

Figura 4. observações atômicas de (AFM) da microscopia da força dos filmes de GaN crescidos nas carcaças diferentes RMS: raiz-meio-quadrado

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço materiais, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN em sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades físicas, químicas e elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa ter introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.