Memória de acesso aleatório dinâmica síncrono de H9HCNNNBPUMLHR NMO

Número de modelo:H9HCNNNBPUMLHR- NMO
Lugar de origem:Coreia
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:16080PCS/WEEK
Detalhes de empacotamento:1608PCS/Tray
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: 3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, província de Guangdong, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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As gerações de H9HCNNNBPUMLHR NMO quatro de baixa potência dobram a memória de acesso aleatório dinmica síncrono da taxa de dados  

 

                                                   Uso do produto
LPDDR é discutivelmente de “a memória a mais amplamente utilizada da memória funcionamento” para dispositivos móveis no mundo inteiro. A taxa de dados dobro SDRAM da baixa potência, um tipo de RDA SDRAM, igualmente conhecido como o mDDR (RDA móvel SDRM), é um padro de uma comunicaço desenvolvido pela associaço de circuito integrado da tecnologia dos E.U. JEDEC (associaço de circuito integrado da tecnologia de JEDEC) para o consumo da baixa potência conhecido para o consumo de potência e tamanho pequeno, é usada especificamente para produtos eletrônicos móveis. Nossos produtos incluem a GOLE de SAMSUNG (Samsung Electronics), o NAND, NEM a memória Flash, eMMC encaixado do armazenamento, eMCP e a outra série completa do produto do armazenamento

 

                                                   Desempenho LPDDR4
Desde que a velocidade da transmisso de dados da relaço do entrada/saída pode alcançar até 3200Mbps, que é duas vezes aquele da GOLE DDR3 de uso geral, a memória recentemente introduzida de 8Gb LPDDR4 pode apoiar o tiro e o playback de imagens da ultra-alto-definiço, e pode continuar a capturar 20 milho fotos a alta definiço do pixel. Comparado com o chip de memória LPDDR3, a queda de tenso do funcionamento de LPDDR4 é 1,1 volts, que é a soluço do armazenamento do mais baixo poder apropriada para smartphones e tabuletas da grande-tela, e sistemas de rede de capacidade elevada. Tomando um pacote da memória 2GB como um exemplo, comparado a um pacote da memória 2GB baseado em uma microplaqueta de 4Gb LPDDR3, um pacote da memória 2GB baseado em uma microplaqueta de 8Gb LPDDR4 pode salvar até 40% do consumo de potência devido a uma reduço na tenso de funcionamento e a um aumento na velocidade de processamento. Ao mesmo tempo, a transmisso do sinal do entrada/saída da lógica original da terminaço do balanço da baixa tenso de Samsung dos usos dos produtos novos (LVSTL, lógica terminada balanço da baixa tenso), que promovem no somente reduz o consumo de potência da microplaqueta LPDDR4, mas igualmente permite a microplaqueta de operar-se na baixa tenso que a operaço de alta frequência realiza a otimizaço da eficiência da fonte de alimentaço.

 

Q1. Que é seus termos da embalagem?

A: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons.

Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorizaço.

 

Q2. Que é seu MOQ?

A: Nós fornecemos-lhe MOQ pequeno para cada artigo, ele dependemos sua ordem específica!

 

Q3. Você testa ou verifica todos seus bens antes da entrega?

A: Sim, nós temos o teste de 100% e verificamos todos os bens antes da entrega.

 

Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

Nós respeitamos cada cliente como nossos amigo e nós sinceramente fazemos o negócio e fazemos amigos com eles, ele no somos algo que pode ser substituído.

 

Q5: Como nos contactar?
A: Envie seus detalhes no abaixo, clique do inquérito “enviam " agora!!!

 

Tecnologia Co. de Shenzhen Hongxinwei, Ltd

Para adotar a nova tecnologia, para produzir produtos da qualidade, para oferecer o serviço de primeira classe.

Melhore o sistema de gesto continuamente para cumprir a exigência do cliente para os produtos e serviço de alta qualidade.

 

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