Circuitos integrados eletrônicos da paralela da relação do armazenamento de SAMSUNG SDRAM DDR3

Número de modelo:K4B4G1646D-BFMA
Lugar de origem:Coreia
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:20000pcs/week
Prazo de entrega:2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: 3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, província de Guangdong, China
Fornecedor do último login vezes: No 25 Horas
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                                                     Áreas de aplicaço

eletrônica automotivo, computadores de secretária, servidores, consoles do jogo, Internet de dispositivos das coisas, laptop, tevês espertas, comunicações da rede,
Inteligência artificial, realidade virtual, realidade aumentada, comunicações móvéis, controle industrial, instrumentaço, monitoraço de segurança, terminais móveis

 

 

Q1. Que é seus termos da embalagem?

A: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons. Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorizaço.

 

Q2. Que é seu MOQ?

A: Nós fornecemos-lhe MOQ pequeno para cada artigo, ele dependemos sua ordem específica!

 

Q3. Você testa ou verifica todos seus bens antes da entrega?

A: Sim, nós temos o teste de 100% e verificamos todos os bens antes da entrega.

 

Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

A: Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

Nós respeitamos cada cliente como nossos amigo e nós sinceramente fazemos o negócio e fazemos amigos com eles, ele no somos algo que pode ser substituído.

 

Q5: Como nos contactar?
A: Envie seus detalhes no abaixo, clique do inquérito “enviam " agora!!!

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Circuitos integrados eletrônicos da paralela da relação do armazenamento de SAMSUNG SDRAM DDR3

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