MT41K512M16HA-125: Uma memória de acesso aleatório dinâmica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

A descriço funcional DDR3 SDRAM usa uma arquitetura dobro da taxa de dados para conseguir a operaço de alta velocidade. A arquitetura dobro da taxa de dados é uma arquitetura 8n-prefetch com uma relaço projetada transferir duas palavras de dados pelo ciclo de pulso de disparo nos pinos do I/O. Única lida ou para escrever a operaço para o DDR3 SDRAM consiste eficazmente em um único 8n-bit-wide, em transferência de dados do four-clockcycle no núcleo interno da GOLE e oito na correspondência n-bocado-larga, transferências de dados do um meio-pulso de disparo-ciclo nos pinos do I/O. O estroboscópio diferencial dos dados (DQS, DQS#) é transmitido externamente, junto com dados, para o uso na captaço de dados no receptor da entrada de DDR3 SDRAM. DQS centro-é alinhado com os dados para WRITEs. Os dados lidos so transmitidos pelo DDR3 SDRAM e borda-alinharam aos estroboscópios dos dados. O DDR3 SDRAM opera-se de um pulso de disparo diferencial (CK e CK#). O cruzamento das CK que vai ALTAMENTE e do CK# que vai BAIXO é referido como a borda positiva das CK. O controle, o comando, e os sinais do endereço so registrados em cada borda positiva das CK. Os dados entrados so registrados na primeira borda de aumentaço de DQS após ESCREVEM o prembulo, e os dados de saída so providos na primeira borda de aumentaço de DQS após o prembulo LIDO. Lido e para escrever os acessos ao DDR3 SDRAM exploso-so orientados. Os acessos começam em um lugar selecionado e continuam para um número programado de lugar em uma sequência programada. Os acessos começam com o registro do ATIVAM o comando, que ento é seguido por uma LIDA ou ESCREVE o comando. Os bocados do endereço registraram coincidente com ATIVAM o comando so usados para selecionar o banco e a fileira a ser alcançados. Os bocados do endereço registraram coincidente com LIDA ou ESCREVEM comandos so usados para selecionar o banco e o lugar começando da coluna para o acesso estourado. O dispositivo usa LIDA e ESCREVE BL8 e BC4. Uma auto funço da pré-carga pode ser permitida de fornecer uma pré-carga auto-programada da fileira que seja iniciada no fim do acesso estourado. Como com RDA padro SDRAM, canalizada, arquitetura do multibank de DDR3 SDRAM permite a operaço simultnea, desse modo fornecendo a largura de banda alta na pré-carga da fileira e o tempo escondendo da ativaço. Um auto refresca o modo é fornecido, junto com uma poder-economia, modo do poder-para baixo. A temperatura industrial o dispositivo industrial da temperatura (a TI) exige que a temperatura de caso no exceder – as especificações de 40°C ou de 95°C. JEDEC exigem refrescam a taxa para dobrar quando o TC excede 85°C; isto igualmente exige o uso do auto de alta temperatura refrescar a opço. Adicionalmente, a resistência de ODT e a impedncia do entrada/saída devem ser derated quando o TC é < 0="">as notas 95°C. gerais • A funcionalidade e as especificações do sincronismo discutidas nesta folha de dados so para o DLL permitem o modo de operaço (operaço normal). • Durante todo esta folha de dados, as vários figuras e texto referem DQs como “DQ.” DQ deve ser interpretada coletivamente como alguns e todo o DQ, a menos que indicado especificamente de outra maneira. • Os termos “DQS” e “CK” encontraram durante todo esta folha de dados devem ser interpretada como DQS, DQS# e CK, CK# respectivamente, a menos que indicados especificamente de outra maneira

Q1. Que é seus termos da embalagem?

: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons.

Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorizaço.

Q2. Que é seu MOQ?

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Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

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