Triode 200mW do MOSFET do canal do silicone N de BF999 E6327 RF
Number modelo:BF999 E6327
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:12000PCS/WEEK
Prazo de entrega:2-3days
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Shenzhen Guangdong China
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3418, Duhuixuan, avenida de Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, província de Guangdong, China
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Triode do MOSFET do N-canal do silicone dos transistor do MOSFET de FB 999 E6327 RF
Triode do MOSFET do N-canal 1.Silicon
Para fases de alta frequência até 300 megahertz preferivelmente em
aplicações de FM
• (RoHS complacente) package1 Pb-livres)
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Triode 200mW do MOSFET do canal do silicone N de BF999 E6327 RF
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