canal dos circuitos integrados 1P da gestão do poder de 2.5W FDS6679AZ

Dispositivo do MOSFET de PowerTrench do P-canal do MOSFET -30V de FDS6679AZ este é bem - serido para a gesto do poder e as aplicações de comutaço da carga comuns em blocos portáteis da bateria de Computersand do caderno

descriço 1.General
Este MOSFET do P-canal producted usando o processo avançado do PowerTrench de ONSemiconductor que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado.
Este dispositivo é bem - serido para a gesto do poder e as aplicações de comutaço da carga comuns em blocos portáteis da bateria de Computersand do caderno

2.Features
RDS máximo (sobre) = 9.3mΩ em VGS = -10V, identificaço = -13A
RDS máximo (sobre) = 14.8mΩ em VGS = -4.5V, identificaço = -11A
Escala prolongada de VGS (- 25V) para aplicações da bateria
Nível da proteço de HBM ESD de 6kV típico (nota 3)
Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente o lowrDS (sobre)
Poder superior e capacidade entregando atual
RoHS complacente

A tecnologia Co. de Shenzhen Hongxinwei, Ltd é ficada situada no distrito de Bao'an de Shenzhen.It é uma investigaço e desenvolvimento do ajuste da empresa da alto-tecnologia, produço, vendas em uma integraço. A empresa cobre uma área de 15 acres, tendo a oficina de produço moderna e equipamentos profissionais da produço e de teste. A empresa tem um pessoal existente de mais do que 100 pessoas. A empresa estabeleceu escritórios em Shenzhen, em Hong Kong e em Singapura proporcionando o serviço mundial.