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1.Características
100% testado contra avalanches
Baixa capacitncia de entrada e carga de porta
Baixa resistência de entrada do porto
2.Descriço
Esses Power MOSFETs de canal N so desenvolvidos usando a
revolucionária tecnologia MDmesh da STMicroelectronics, que associa
o processo de drenagem múltipla com o layout horizontal PowerMESH
da empresa.Esses dispositivos oferecem resistência extremamente
baixa, alto dv/dt e excelentes características de
avalanche.Utilizando a técnica de tira proprietária da ST, esses
Power MOSFETs apresentam um desempenho dinmico geral que é superior
a produtos similares no mercado
3. Aplicações
Troca de aplicativos