Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta
Número de modelo:DB3
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5000pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union
Capacidade da fonte:100000pcs por 1 semana
Tempo de entrega:5 - 8 dias do trabalho
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No.149, estrada de Zhongxin, cidade de Gaocheng, cidade de Yixing, Jiangsu, China
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Diodo bidirecional DB3 SMA do disparador do DIAC do silicone com pacote de superfície da montagem
Características
1. Baixo escapamento reverso
2. Capacidade de impulso dianteira alta
3. A solda de alta temperatura garantiu: 250℃/10 segundos, 0,375" comprimento da ligaço (de 9.5mm)
Dados mecnicos
·Terminais: Ligações axiais chapeadas
·Polaridade: A faixa da cor denota a extremidade do cátodo
·Posiço de montagem: Alguns
Avaliações máximas absolutas
| Símbolos | Parmetro | Valor | Unidade | |
| DB3 | ||||
| PC | Dissipaço de poder no impresso Circuito [L=10mm] | TA=50℃ | 150 | mW |
| ITRM | Em-estado máximo repetitivo Atual | tp=10us F=100Hz | 2,0 | |
| TSTG/TJ | Armazenamento e 0 temperaturas de junço perating | -40 a +125/-40 110 | ℃ | |
Características elétricas
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Valor | Unidade | |
| Tenso de continuaço | VBO | MÍNIMO. | 28 | V | |
| TIPO. | 32 | ||||
| MÁXIMO. | 36 | ||||
| Simetria da tenso de continuaço | |VBO1-VBO2| | C=22nF ** | MÁXIMO. | ±3 | V |
| Voltage* dinmico da continuaço | △V | VBO e VF em 10mA | MÍNIMO. | 5 | V |
| Voltage* da saída | Vo | veja o diagrama 2 (R=20Ω) | MÍNIMO. | 5 | V |
| Current* da continuaço | IBO | C=22nF ** | MÁXIMO. | 100 | μA |
| Time* da elevaço | tr | MÁXIMO. | 1,5 | μs | |
| Current* do escapamento | IR | VR=0.5VBO máximo | MÁXIMO. | 10 | μA |
Notas: características 1.Electrical aplicáveis em sentidos
dianteiros e reversos.
2.Connected paralelamente aos dispositivos.
Tamanho:
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Diodo bidirecional do disparador do DIAC DB3 do silicone com capacidade de impulso dianteira alta
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