Diodo de Schottky da montagem da superfície de 10BQ100 1A para unidades de disco/fontes alimentação do interruptor
Número de modelo:10BQ100
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:300000pcs/month
Detalhes de empacotamento:3000pcs/box
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No.149, estrada de Zhongxin, cidade de Gaocheng, cidade de Yixing, Jiangsu, China
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pacote de superfície do diodo de retificador 10BQ100 da barreira de Schottky da montagem 1.0Ampere SMB
CARACTERÍSTICAS:
O retificador de Schottky da superfície-montagem 10BQ100 foi
projetado para as aplicações que exigem a baixa gota dianteira e
muito
cópias pequenas do pé em placas de PC. As aplicações típicas esto
no disco
movimentações, fontes de alimentaço de comutaço, conversores,
livre-rodando
diodos, bateria que carrega, e para inverter a proteço da bateria.
Cópia pequena do pé, superfície montável
Baixa queda de tenso dianteira
Operaço de alta frequência
Anel de protetor para a aspereza e o prazo aumentados
confiança
Avaliações da tenso
| Número da peça | 10BQ100 |
| Tenso Reversa de V R Máximo C.C. (v) | 100 |
Tenso reversa de V RWM Máximo Working Pico (v) |
Avaliações máximas absolutas
| Parmetros | 10BQ | Unidades | Circunstncias | |
| Mim corrente de F (avoirdupois) Máximo Médio Dianteiro | 1,0 | ciclo de dever @ T de 50% L = 152 °C, formulário de onda retangular | ||
Mim ciclo do FSM Máximo Pico um No-repetitivo Corrente de impulso | 780 | seno 5µs ou 3µs Rect. pulso | Depois de algum avaliado condiço de carga e com V avaliado RRM aplicou-se | |
| 38 | seno 10ms ou 6ms Rect. pulso | |||
| E COMO a energia repetitiva Non- da avalancha | 1,0 | mJ | T J = °C 25, MIM as = 0.5A, L = 8mH | |
| Mim corrente repetitiva da avalancha da AR | 0,5 | Deterioraço atual linearmente a zero em 1 µsec Frequência limitada por T J máximo Va = 1,5 x Vr típico
| ||
Especificações elétricas
| Parmetros | 10BQ | Unidades | Circunstncias | |
| Queda de tenso dianteira máxima (1) de V FM | 0,78 | V | @ 1A | T J = °C 25 |
| 0,89 | V | @ 2A | ||
| 0,62 | V | @ 1A | T J = °C 125 | |
| 0,72 | V | @ 2A | ||
| MIM corrente de Máximo Reverso Escapamento do RM (1) | 0,5 | miliampère | T J = °C 25 | V R = V avaliado R |
| 1 | miliampère | T J = °C 125 | ||
| Capacidade de junço típica de C T | 42 | PF | V C.C.R = 5V, (escala 100kHz do sinal do teste a 1MHz) 25°C | |
| L indutncia típica da série de S | 2,0 | nH | Ligaço medida para conduzir 5mm do corpo do pacote | |
| taxa de dv/dt Máximo Volatge de carga (V avaliado R) | 10000 | V/ µs | ||
(1) largura de pulso < 300µs, ciclo de dever < 2%
Especificações Térmico-mecnicas
| Parmetros | 10BQ | Unidades | Circunstncias |
| Variaço da temperatura de T J Máximo Junço (*) | - 55 a 175 | °C | |
| Variaço da temperatura de Máximo Armazenamento do stg de T | - 55 a 175 | °C | |
| Junço da resistência térmica do máximo do thJL de R a conduzir | 36 | °C/W | Operaço da C.C. |
| Junço da resistência térmica do máximo do thJA de R a ambiental | 80 | °C/W | |
| peso aproximado do peso | 0,10 (0,003) | g (onça.) | |
| Estilo do caso | SMB | DO-214AA similar | |
| Marcaço do dispositivo | IR1J | ||
Desenho:
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