Diodo do ampère 100v Schottky do caso 3 de 30BQ100 SMC

Número de modelo:30BQ100
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union
Capacidade da fonte:100000pcs por 1 semana
Tempo de entrega:15 - 20 dias do trabalho
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diodo de retificador de superfície 30BQ100 de Schottky da montagem de 3Amp 100V com caso de SMC
 
 
CARACTERÍSTICAS
• Queda de tenso dianteira muito baixa
• Anel de protetor para a aspereza aumentada e a confiança a longo prazo
• Halogênio-livre de acordo com a definiço do IEC 61249-2-21
• Cópia pequena do pé, superfície montável
• Operaço de alta frequência
• Nível 1 das reuniões MSL, por J-STD-020, SE pico máximo do °C 260
• Complacente a RoHS 2015/863/EC diretivo
 
DESCRIÇO
O retificador de Schottky da montagem da superfície 30BQ100 foi projetado para as aplicações que exigem o ponto baixo
gota dianteira e cópias pequenas do pé em placas de PC. As aplicações típicas esto nas unidades de disco, comutando
fontes de alimentaço, conversores, descendo em roda livre diodos, bateria que carrega, e para inverter a proteço da bateria.
 

AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SÍMBOLOCARACTERÍSTICASVALORESUNIDADES
SE (AVOIRDUPOIS)Forma de onda retangular3,0
VRRM 100V
IFSMtp = seno de 5 μs800
VF3,0 Apk, TJ = °C 1250,62V
TJEscala- 55 a 175°C

 

AVALIAÇÕES DA TENSO
PARMETROSÍMBOLO30BQ100-M3UNIDADES
Tenso reversa máxima da C.C.VR100V
Tenso reversa máxima de trabalho máximaVRWM

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
PARMETROSÍMBOLOCondiço de testeVALORESUNIDADES
Média máxima para a frente atualSE (AVOIRDUPOIS)ciclo de dever de 50% em TL = 148 °C, forma de onda retangular3,0
ciclo de dever de 50% em TL = 138 °C, forma de onda retangular4,0

Ciclo máximo do pico um
corrente de impulso no-repetitiva

IFSMseno de 5 μs ou rect de 3 μs. pulso

Depois de algum avaliado
condiço de carga e com
VRRM avaliado aplicou-se

800
seno de 10 Senhoras ou rect de 6 Senhoras. pulso70
energia No-repetitiva da avalanchaEASTJ = 25 °C, IAS = 1,0 A, L = 6 mH3,0mJ
Corrente repetitiva da avalanchaIAR

Deterioraço atual linearmente a zero nos μs 1
Frequência limitada por TJ máximo VA = 1,5 x VR típicos

0,5

 

ESPECIFICAÇÕES ELÉTRICAS
PARMETROSÍMBOLOCondiço de testeVALORESUNIDADES
Queda de tenso dianteira máximaVFM (1)3ATJ = °C 250,79V
6A0,90
3ATJ = °C 1250,62
6A0,70
Corrente reversa máxima do escapamentoIRMTJ = °C 25VR = VR avaliado0,5 
  TJ = °C 1255,0miliampère
Capacidade de junço máximaCTVR = 5 VDC (o sinal varia 100 quilohertz a 1 megahertz), do teste °C 25115PF
Série típica da indutnciaLSLigaço medida para conduzir 5 milímetros do corpo do pacote3,0nH
Taxa da tenso de mudança máximadV/dtVR avaliado10 000V/μs

Nota
(1) largura de pulso = 300 μs, ciclo de dever = 2%
 

TÉRMICO - ESPECIFICAÇÕES MECNICAS
PARMETROSÍMBOLOCondiço de testeVALORESUNIDADES

Junço e armazenamento máximos
variaço da temperatura

TJ (1), TStg - 55 a 175°C
Resistência térmica máxima, junço a conduzirRthJL (2)Operaço da C.C.12°C/W

Resistência térmica máxima,
junço a ambiental

RthJA46

 
Desenho:


 
 
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Diodo do ampère 100v Schottky do caso 3 de 30BQ100 SMC

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