Diodo de barreira pequeno BAS48 de Schottky do diodo de Schottky do sinal da montagem de superfície Minin Melf
Número de modelo:BAS48
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:2500pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union
Capacidade da fonte:100000pcs por 1 semana
Tempo de entrega:5 - 8 dias do trabalho
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No.149, estrada de Zhongxin, cidade de Gaocheng, cidade de Yixing, Jiangsu, China
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Diodo de barreira pequeno BAS48 de Schottky do sinal da montagem de superfície Minin Melf
Características
1. Confiança alta
2. tenso dianteira muito baixa
3. tipo pequeno da montagem de superfície
Aplicações:
Aplicações onde uma tenso dianteira muito baixa é exigida
Avaliações máximas absolutas
Tj=25℃
| Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tenso reversa máxima repetitiva | VRRM | 40 | V |
| Corrente contínua dianteira em Tamb = °C 25 | SE | 350 | miliampère |
Corrente dianteira máxima repetitiva em tp < 1 s, d < 0,5, Tamb = °C 25 | IFRM | 1 | |
| Corrente dianteira do impulso em tp < 10 Senhora, Tamb = °C 25 | IFSM | 7,51) | |
Tamb = 25 °C IFSM 7,51) Poder Dissipation1) em Tamb = °C 65 | Ptot | 3301) | mW |
| Temperatura de junço | Tj | 125 | ℃ |
| Variaço da temperatura de funcionamento ambiental | Tamb | -65~+125 | ℃ |
| Variaço da temperatura do armazenamento | Tstg | -65~+150 | ℃ |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas so esforço
avaliações somente. A operaço funcional acima das condições operacionais recomendadas no é implicada.
A exposiço estendida aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar o dispositivo
confiança.
Características elétricas (TJ = 25°C salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade | |
Tenso de diviso reversa testado com 100 pulsos do miliampère | V (BR) R | 40 | V | ||
Tenso dianteira Teste do pulso tp < 300 Senhora, d < 2% em SE = 0,1 miliampères em SE = 10 miliampères em SE = 250 miliampères |
VF VF VF |
0,25 0,40 0,90 |
V V V | ||
Escapamento atual Teste do pulso tp < 300 Senhora, d < 2% em VR = 10 V em VR = 10 V, Tj = °C 60 em VR = 20 V em VR = 20 V, Tj = °C 60 em VR = 40 V em VR = 40 V, Tj = °C 60 |
IR IR IR IR IR IR |
|
2 15 5 25 25 50 |
miliampère miliampère miliampère miliampère miliampère miliampère | |
Capacidade em VR = 1 V, f = 1 megahertz | Ctot | 12 | PF | ||
| Junço da resistência térmica ao ar ambiental | RthJA | 0,3 | K/mW |
Desenho:
O melhor controle de qualidade:
1. Original & novo somente
2. A maioria preço competitivo & melhor de serviço
3. Nós podemos fornecer amostras dos clientes para livre, a
quantidade máxima da amostra somos 50 PCes.
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Diodo de barreira pequeno BAS48 de Schottky do diodo de Schottky do sinal da montagem de superfície Minin Melf
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