Componentes eletrônicos de diodo de barreira de Schottky da montagem da superfície de BAS86 50V
Número de modelo:BAS86
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:2500pcs
Termos do pagamento:T / T, Western Union
Capacidade da fonte:100000pcs por 1 semana
Tempo de entrega:5 - 8 dias do trabalho
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No.149, estrada de Zhongxin, cidade de Gaocheng, cidade de Yixing, Jiangsu, China
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Componentes eletrônicos de superfície de diodos de barreira BAS86 de Schottky da montagem 50V
Características
1. Anel integrado da proteço contra a descarga estática
2. Tenso dianteira muito baixa
Aplicações:
Aplicações onde uma tenso dianteira muito baixa é exigida
Avaliações máximas absolutas
Tj=25℃
| Parmetro | Condições de teste | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tenso reversa | VR | 50 | V | |
| Corrente de impulso dianteiro máxima | Senhora tp=10 | IFSM | 5 | |
| Pico repetitivo para a frente atual | tp≤1s | IFRM | 500 | miliampère |
| Corrente dianteira | SE | 200 | miliampère | |
| Corrente dianteira média | IFAV | 200 | miliampère | |
| Temperatura de junço | Tj | 125 | ℃ | |
| Variaço da temperatura do armazenamento | Tstg | -65~+150 | ℃ | |
| Junço ambiental | na placa de PC 50mmx50mmx1.6mm | RthJA | 320 | K/W |
Características elétricas
Tj = 25? C
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Tenso de diviso reversa | V (BR) R | IR = 10ìA (pulsados) | 30 | V | ||
| Escapamento atual | IR | VR = 25V | 0,2 | 2 | μA | |
| Tenso dianteira | VF | Teste do pulso tp < 300μs SE = 0.1mA SE = 1mA SE = 10mA SE = 30mA SE = 100mA |
0,5 |
0,24 0,32 0,4
0,8 | V | |
| Capacidade | Ctot | VR = 1V, f = 1MHz | 10 | PF | ||
| Tempo de recuperaço reversa | trr | SE = 10mA, IR = 10mA IR = 1mA | 5 | ns |
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Métodos do pagamento:
· T/T
· Western Union
· Paypal
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Maneira de envio:
Transporte internacional expedido (FEDEX, DHL, UPS, TNT) custou normalmente 4-6 dias
Componentes eletrônicos de diodo de barreira de Schottky da montagem da superfície de BAS86 50V
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