FM24CL04B-GTR 4 - memória não temporária de Kbit, relação rápida da memória Flash de série I2C de FRAM
Brand Name:CYPRESS
Certification:ROHS
Model Number:FM24CL04B
Minimum Order Quantity:10pcs
Delivery Time:1-3Days
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 1120, assoalho 11rd, Ásia nova Guoli Building, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031
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Microplaqueta de memória Flash 4Kbit de FM24CL04B-GTR rapidamente 2 flash de série da relaço de série FRAM do fio
Descriço
O FM24CL04B é uma memória 4-Kbit permanente que emprega um processo
ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um F-RAM
ferroelectric so permanente e executam leem e escrevem similar a
RAM. Fornece a retenço segura dos dados por 151 anos ao eliminar as
complexidades, as despesas gerais, e os problemas da confiança do
sistema-nível causados por EEPROM e por outras memórias
permanentes. Ao contrário de EEPROM, o FM24CL04B executa para
escrever operações na velocidade do ônibus. Nenhum escreva atrasos
so incorridos. Os dados so redigidos disposiço da memória
imediatamente depois de cada byte so transferidos com sucesso ao
dispositivo. O ciclo seguinte do ônibus pode começar sem a
necessidade para a votaço dos dados. Além, o produto oferece
substancial escreve a resistência comparada com outras memórias
permanentes. Também, F-RAM exibe um poder muito mais baixo durante
escreve do que EEPROM escrevem desde operações no exigem uma tenso
de fonte de alimentaço internamente elevado para escrevem
circuitos. O FM24CL04B é capaz de apoiar 1014 ciclos de
leitura/gravaço, ou 100 milho vezes escreve mais ciclos do que
EEPROM. Estas capacidades fazem o ideal para aplicações da memória
permanente, exigir de FM24CL04B frequente ou rápido escreve. Os
exemplos variam do registro de dados, de onde o número escreve
ciclos pode ser crítico, a exigir os controles industriais onde o
longos escrevem a época de EEPROM podem causar a perda dos dados. A
combinaço de características permite uns dados mais frequentes que
escrevem com menos despesas gerais para o sistema. O FM24CL04B
fornece benefícios substanciais aos usuários da série (I2C) EEPROM
como uma substituiço da reunio informal do hardware. As
especificações de dispositivo so garantidas sobre uma variaço da
temperatura industrial – de 40 C a +85 C.
Características
■memória de acesso aleatório 4-Kbit ferroelectric (F-RAM) logicamente
organizado como 512 o × 8
o trilho da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenço de 151 dados do ano (veja a retenço e a resistência dos dados
na página 10)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Rapidamente relaço de série de 2 fios (I2C)
❐ até a frequência 1-MHz
O ❐ dirige a substituiço do hardware para a série (I2C) EEPROM
O ❐ apoia sincronismos do legado para 100 quilohertz e 400 quilohertz
■Consumo da baixa potência
do ❐ 100 uma corrente ativa em 100 quilohertz
corrente espera do A do ❐ 3 (tipo)
■Operaço da tenso: VDD = 2,7 V a 3,65 V
■Temperatura industrial: – 40 C a +85 C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitaço das substncias perigosas (RoHS) complacentes
■memória de acesso aleatório 4-Kbit ferroelectric (F-RAM) logicamente
organizado como 512 o × 8
o trilho da Alto-resistência 100 do ❐ (1014) leu/escreveu
❐ retenço de 151 dados do ano (veja a retenço e a resistência dos dados
na página 10)
O ❐ NoDelay™ escreve
Processo ferroelectric da alto-confiança avançada do ❐
■Rapidamente relaço de série de 2 fios (I2C)
❐ até a frequência 1-MHz
O ❐ dirige a substituiço do hardware para a série (I2C) EEPROM
O ❐ apoia sincronismos do legado para 100 quilohertz e 400 quilohertz
■Consumo da baixa potência
do ❐ 100 uma corrente ativa em 100 quilohertz
corrente espera do A do ❐ 3 (tipo)
■Operaço da tenso: VDD = 2,7 V a 3,65 V
■Temperatura industrial: – 40 C a +85 C
■pacote pequeno do circuito integrado do esboço de 8 pinos (SOIC)
■Limitaço das substncias perigosas (RoHS) complacentes
Aplicações
Industrial, comunicações & trabalhos em rede
FM24CL04B-GTR 4 - memória não temporária de Kbit, relação rápida da memória Flash de série I2C de FRAM
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