Pacote atual do transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 do Mosfet do canal SMD da tensão 20V P

Número de modelo:IRF7404TRPBF

Lugar de origem:Fábrica original

Quantidade de ordem mínima:10pcs

Termos do pagamento:T/T, Western Union，PAYPAL

Capacidade da fonte:100000pcs

Tempo de entrega:1-3 dias

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Tecnologia ltd da eletrônica de Shenzhen ATFU

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Shenzhen Guangdong China

Endereço: Sala 1120, assoalho 11rd, Ásia nova Guoli Building, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031

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Transistor original do MOSFET do canal 20V 7.7A SMD de IRF7404TRPBF SOP8 P

Descriço

A quinta geraço HEXFETs do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de interruptor rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente para o uso em uma grande variedade de aplicações.

O SO-8 foi alterado através de um leadframe personalizado para características aumentadas e a capacidade térmicas do múltiplo-dado que faz lhe o ideal em uma variedade de aplicações do poder. Com estas melhorias, os dispositivos múltiplos podem ser usados em uma aplicaço com espaço dramaticamente reduzido da placa. O pacote é projetado para técnicas de solda da fase de vapor, as infravermelhas, ou da onda. A dissipaço de poder de maior do que 0.8W é possível em uma aplicaço típica da montagem do PWB.

Característica

l echnology da geraço V T

l Em-resistência ultra baixa

l Mosfet do P-canal
l montagem da superfície
l disponível na fita & no carretel

l avaliaço dinmica de dv/dt
l jejua interruptor

Pacote