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A quinta geraço HEXFET s do retificador internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET® so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O D-Pak é projetado para a montagem de superfície usando a fase de vapor, o infravermelho, ou técnicas de solda da onda. A verso reta da ligaço (série de IRFU) é para o através-furo que monta aplicações. Os níveis da dissipaço de poder até 1,5 watts so possíveis em aplicações de superfície típicas da montagem.