Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A
Número de modelo:IRF640NPBF
Lugar de origem:Fábrica original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union，PAYPAL
Capacidade da fonte:100000pcs
Tempo de entrega:1-3 dias
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Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Sala 1120, assoalho 11rd, Ásia nova Guoli Building, distrito de Futian, cidade de Shenzhen, província de Guangdong China, fecho de correr: 518031
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Canal 200V 18A do transporte N do MERGULHO de IRF640NPBF que comuta o transistor de poder do MOSFET
Descriço
O MOSFET s do poder do ® da quinta geraço HEXFET do retificador
internacional utiliza técnicas de processamento avançadas para
conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do
silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de interruptor
rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do
poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um
dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma
grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações
comercial-industriais a níveis da dissipaço de poder a
aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo
custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitaço larga durante
todo a indústria.
O D2Pakéumpacotede
superfíciedopoderdamontagemcapazdeobsequiosomorretamanhosatéHEX-4.
Forneceacapacidadedopodero mais altoeomais
baixopossívelnaresistênciaemtodo opacotede
superfícieexistentedamontagem.
OD2Pakéapropriadoparaaplicaçõesatuaisaltasdevidoasuabaixaresistênciainternadaconexoepodedissipar-seaté2.0Wem umaaplicaçode superfícietípicadamontagem.
A verso do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicaço
do perfil baixo.
Característica
l tecnologia de processamento avançada
l avaliaço dinmica de dv/dt
l 175°C que opera o emperature de T
l jejua interruptor
l inteiramente avalancha avaliada
l facilidade da paralelizaço
l exigências simples da movimentaço
l sem chumbo
Pacote
Transistor sem chumbo do Mosfet do canal de N, transistor de alta velocidade IRF640NPBF do Mosfet de 200V 18A
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