Tipo Epitaxial audio do silicone NPN do transistor de IC do amplificador de potência 2SC5171 200 megahertz

Número de modelo:2SC5171

Lugar de origem:Fábrica original

Quantidade de ordem mínima:10pcs

Termos do pagamento:T/T, Western Union，PAYPAL

Capacidade da fonte:100000pcs

Tempo de entrega:1-3 dias

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Tipo Epitaxial aplicações do silicone NPN do transistor de 2SC5171 TOSHIBA do amplificador de potência

CARACTERÍSTICAS

• Frequência alta da transiço: fT = 200 megahertz (tipo.)

• Complementar a 2SA1930

Características elétricas (Tc = 25°C)

Características	Símbolo	Condiço de teste	Minuto	Tipo.	Máximo	Unidade
Corrente de interrupço de coletor	ICBO	VCB = 180 V, IE = 0	-	-	5,0	μA
Corrente da interrupço do emissor	IEBO	VEB = 5 V, IC = 0	-	-	5,0	μA
tenso de diviso do Coletor-emissor	CEO DE V (BR)	IC = 10 miliampères, IB = 0	180	-	-	V
Ganho atual de C.C.	hFE (1)	VCE = 5 V, IC = 0,1 A	100	-	320
Ganho atual de C.C.	hFE (2)	VCE = 5 V, IC = 1 A	50	-	-
tenso de saturaço do Coletor-emissor	VCE (se sentou)	IC = 1 A, IB = 0,1 A	-	0,16	1,0	V
Tenso do emissor de base	VBE	VCE = 5 V, IC = 1 A	-	0,68	1,5	V
Frequência da transiço	fT	VCE = 5 V, IC = 0,3 A	-	200	-	Megahertz
Capacidade de saída do coletor	Espiga	VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 megahertz	-	16	-	PF

Avaliações máximas absolutas (Tc = 25°C)

Características		Símbolo	Avaliaço	Unidade
tenso da Coletor-base		VCBO	180	V
tenso do Coletor-emissor		VCEO	180	V
tenso da Emissor-base		VEBO	5	V
Corrente de coletor		IC	2
Corrente baixa		IB	1
Dissipaço de poder do coletor	Ta = 25°C	PC	2,0	W
Dissipaço de poder do coletor	Tc = 25°C	PC	20	W
Temperatura de junço		Tj	150	°C
Variaço da temperatura do armazenamento		Tstg	−55150	°C