Pilha magnética transversal do IEC 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz eletro

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Pilha magnética transversal do IEC 61967-2 Chip Test Integrated Circuit Gigahertz eletro

 

Vista geral do produto para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

A pilha transversal da onda eletromagnética do gigahertz de GTEM (eletro transversal do gigahertz magnético) é um medidor de ondas fechado do único-porto com uma frequência até 20GHz.

Usar GTEM (onda eletromagnética transversal do gigahertz) para testes da compatibilidade eletromagnética é uma tecnologia nova da medida desenvolvida no campo da compatibilidade eletromagnética internacional nos últimos anos. Dívida s características de faixa larga de GTEM (da corrente contínua micro-ondas) e baixo custo (somente alguns por cento do custo de uma cmara surda), pode ser usada para testes da susceptibilidade da radiaço eletromagnética (os testes do EMS, chamaram s vezes testes da imunidade). Pode igualmente ser usada para o teste da radiaço eletromagnética (teste do IEM) e o equipamento usado (comparado ao teste na cmara surda) tem a configuraço simples. O custo é barato e pode ser usado para testes rápidos e automáticos, assim que foi pagado cada vez mais a atenço por povos internacionais e domésticos relevantes. Entre eles, especialmente para os testes do equipamento pequeno, a soluço da medida da pilha de GTEM é a melhor soluço do teste com a melhor relaço do desempenho-preço.

 

Padrões do teste para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

Padro da compatibilidade eletrónica da pilha de GTEM (eletro transversal do gigahertz magnético) da pilha de GTEM:

Padrões do IEM: Estabeleça uma base comum para avaliar as emissões irradiadas de elétricos e de equipamentos eletrônicos (componentes).

Medida do IEC 61967-2 da emisso eletromagnética dos circuitos integrados 150kHz 1GHz parte 2: Método irradiado da pilha da medida TEM da emisso.

Padro do EMS: Para estabelecer uma base comum para avaliar a capacidade de elétrico e de equipamentos eletrônicos para resistir a interferência irradiada do campo eletromagnético.

Medida do IEC 62132-2 da imunidade eletromagnética da parte 2 dos circuitos integrados 150kHz~1GHz: Método da pilha de TEM e de GTEM.

IEC 61000-4-20, EN 61000-4-20

IEC 61000-4-3, EN 61000-4-3

IEC 61000-6-3, EN 61000-6-3

IEC 61000-6-4, EN 61000-6-4

ISO 11452-3, SAE J1113-24

 

Composiço para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

GTEM pode ser considerado como uma expanso espacial do cabo 50Ω coaxial a fim acomodar o objeto medido. O fio do núcleo do cabo coaxial é expandido para ser a placa de núcleo da pilha de GTEM, e a bainha do cabo coaxial é feita no escudo da pilha de GTEM. A impedncia característica dentro da pilha de GTEM é projetada ainda ser 50Ω. A fim impedir que a onda eletromagnética da entrada esteja refletida na extremidade da cavidade interna, a extremidade da placa de núcleo é conectada a uma carga de harmonizaço de faixa larga, e um material deabsorço é colocado na extremidade da cavidade. A fim absorver as ondas eletromagnéticas emissoras extremidade.

As propagações transversais da onda eletromagnética ao longo da placa de núcleo, e a intensidade de campo elétrico gerada so proporcionais tenso aplicada na placa de núcleo. A força do campo em posições diferentes igualmente depende da altura da placa de núcleo (a distncia entre o condutor interno e a terra), mais perto da separaço, mais forte a força de campo.

 

Parmetros técnicos para a pilha de Chip Test Integrated Circuit GTEM:

 

Indicadores de desempenho principais:

Escala de frequência: DC-6GHz

Impedncia entrada: 50Ω±5Ω (valor típico: 50Ω±2Ω)

Relaço de onda de posiço de tenso: ≤1.75 (valor típico: ≤1.5)

Poder de entrada máximo: 1000W

Dimensões da pilha de exterior: 4.0m x 2.2m x 2.1m (L x W x H)

Altura eletrônica máxima da separaço: 750mm

área de teste da uniformidade do campo de ±3dB: 350 milímetros x 350 milímetros

Área de teste recomendada máxima de EUT: 67,5 x 67,5 x 49cm

Peso: 500kg

 

Escala de frequência80MHz-1000MHz
Potência de saída70W
Ganho+49dB
Tipo
Nivelamento linear do ganho do poder±3dB máximo
Impedncia do I/O50ohm
VSWR entrado2:1 máximo
Poder entrado+0dBm máximo
Distorço de harmônicoH2, H3<-20dbc of="" output="" power="" at="" 1dB="" compression="" point="" limit="">
Relaço de entrada do RFo N-tipo fêmea do terminal (painel frontal ou painel traseiro), outras relações pode ser personalizado
Relaço da saída do RFo N-tipo fêmea do terminal (painel frontal ou painel traseiro), outras relações pode ser personalizado
 
 

 

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